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高通量的空间质子是导致行星际航天器深层充电的主要原因，基于辐射诱导电导率模 型（RIC）和粒子输运模拟工具GEANT4对介质材料在质子辐照条件下的深层充电问题进行了 预估。利用GEANT4-RIC充电计算方法，首先计算出10MeV质子在Kapton和Teflon中的注量和 剂量沉积曲线，进而根据电流连续性方程、泊松方程和电荷俘获方程组成的辐射诱导电导率 模型（RIC）求解出介质内电荷和电场分布，与...
γ全吸收型探测装置中子束流监视器的Geant4模拟
中子束流监视器 γ全吸收型探测装置
2009/11/3
利用Geant4模拟了γ全吸收型探测装置中用于中子束流监视的锂玻璃探测器的相对探测效率，给出了锂玻璃探测器在10keV～1MeV区间的中子探测效率，并对影响探测效率的相关因素进行了分析，讨论了弹性散射引起的时间滞后对TOF(time-of-flight)测量的影响和不同厚度锂玻璃探测器的n-γ分辨效果。在未来使用锂玻璃探测器作为keV中子源监视器时，这项工作将为更好地理解相关中子飞行时间谱和能谱...