搜索结果: 1-15 共查到“工学 SiC”相关记录384条 . 查询时间(0.089 秒)
随着功率模块朝着高温、高功率、高密度方向发展,这对模块的封装结构提出了新的要求。较传统的引线键合结构,双面散热结构由于具有高散热能力和低寄生电感等特点受到广泛关注。但是双面散热结构材料间热膨胀系数的差异使之承受较大的热-机械应力,降低了功率模块的可靠性。因此,为设计具有低热-机械应力双面散热双向开关,本研究首先使用仿真分析了芯片布局对模块散热性能以及寄生电感的影响,在此基础上提出了一种具有低杨氏模...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
本发明公开了一种Ni/SiC催化剂在合成气转化制甲烷中的应用，本发明使用具有良好导热性及机械强度的碳化硅做为镍催化剂的载体，其中镍金属在催化剂中的含量为1％-20％，制备过程简单易行。该催化剂可以快速导出合成气转化制甲烷反应中生成的大量热量，避免局部过热引起镍催化剂粒子的聚集及积碳造成的失活，具有抗磨损能力强，活性高，抗积碳能力强等特点，可以在很高的空速及较高的压力下运行。
本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂，可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层，且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成，该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势，可应用于催化和吸附中。
本发明涉及一种在对苯二甲酸加氢精制反应中具有高活性的Pd/C-SiC催化剂及其制备与应用。本发明以高强度大孔碳化硅为载体，表面生成碳层并经过二氧化碳活化及氮原子掺杂改性后分散Pd催化剂，从而大大提高了催化活性，而且高强度碳化硅载体作为硬骨架，可避免了碳载体反应过程中破碎等问题，提高催化剂寿命，在对苯二甲酸加氢精制反应中有潜在工业应用价值。
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 TiB2-NbC-SiC 陶瓷复合材料
2023/12/27
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
本发明公开了一种用于乙炔法制备氯乙烯的新型无金属催化剂及其制备和应用。该催化剂为SiC基复合材料，通过控制生长条件和后处理条件，在SiC上生长一薄层不同形貌和化学组成的C层，可直接催化乙炔与氯化氢反应生成氯乙烯，且展现出较高的活性、稳定性及氯乙烯选择性。本发明的优点是实现了乙炔法制备氯乙烯的非金属催化，解决了目前工业上使用的氯化汞催化剂的高污染问题，而且避免使用贵金属甚至金属催化剂，具有较高的环境...
中国科学院金属研究所专利：制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 铝基复合材料 近熔态 扩散工艺
2023/12/20
制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺,其特征在于：首先将 SiC纤维和铝合金预制体在固态条件下加压,使SiC纤维和铝基体充分接触； 然后再将复合材料在Al合金的固-液线之间保温,使基体处于半熔融状态, 破坏了氧化膜的连续结构,也增加了铝基体的流动性。本发明结合传统固 态热压法和液态法的优点,这种工艺不但可以促进基体之间的结合,而且 可有效抑制界面的有害产物的形成；从而明显改善SiC纤维/铝...
本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法,以解决TaC的抗氧化性能不理想,在氧化 气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成, SiC的百分含量为0～50vol.％。具体合成方法是：以钽粉、硅粉和石墨粉为原料, 在树脂罐中干燥条件下球磨10～40小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(5～20 MPa),在真...
中国科学院金属研究所专利：一种SiC纤维表面复合梯度涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面复合梯度 涂层
2023/11/28
本发明涉及复合材料的制备技术,具体地说是一种连续SiC纤维表面C/Al2O3 复合梯度涂层的制备方法,按如下步骤操作：第一步,富碳涂层SiC纤维的制备； 第二步,将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上,然后放入磁控溅射仪真空室内； 第三步,当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时,转动样品支架,对其进行加热、 保温；第四步,保温结束后,首先通入氩气,然后通入氧气,使气体充分混合； 第五步,启动射频反...
本发明涉及一种在对苯二甲酸加氢精制反应中具有高活性的Pd/TiO2-C-SiC催化剂及其制备与应用。主要解决现存的对苯二甲酸加氢精制反应中，由于活性炭载体易破碎以及质量差别大，所造成的钯催化剂质量不稳定的问题。本发明以高强度大孔碳化硅为载体，通过表面炭化并用二氧化钛改性，以增大钯金属分散度，从而大大提高了催化活性。另外，高强度碳化硅载体的使用，也很好的避免了碳载体破碎造成的反应压降增大的问题，可用...
中国科学院金属研究所专利：一种SiC纤维表面C/AlN复合梯度涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面 C/AlN 复合梯度涂层
2023/11/21
本发明涉及复合材料的制备技术,具体地说是一种连续SiC纤维表面C/AlN 复合梯度涂层的制备方法。按如下步骤操作：第一步,富碳涂层SiC纤维的制备； 第二步,将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上,然后放入磁控溅射仪真空室内； 第三步,当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时,转动样品支架,对其进行加热、 保温；第四步,保温结束后,首先通入氩气,然后通入氮气,使气体充分混合； 第五步,启动射频反应溅...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成Tac-SiC陶瓷复合材料
中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积 薄膜
2023/10/18
本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与...
中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积薄膜
2023/9/28
本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶...