首 页
学术站点
知识要闻
国际动态
人 物
研招资料
会议中心
学术指南
课 件
知 识 库
所有栏目
学术站点
知识要闻
国际动态
人物
研招资料
会议中心
学术指南
课件
知识库
所有学科
哲学
经济学
法学
教育学
文学
历史学
理学
工学
农学
医学
军事学
管理学
旅游学
文化学
标题
作者
关键词
摘要
正文
单位
网址
任意词
>>>
哲学
经济学
法学
教育学
文学
历史学
理学
工学
农学
医学
军事学
管理学
旅游学
文化学
搜索结果:
1-1
共查到
“
BiMOS
”
相关记录1条 . 查询时间(0.038 秒)
瞬时电离辐射剂量率对
BiMOS
运放输出扰动时间的影响
BiMOS
集成运算放大器
γ瞬时电离辐射
扰动时间
剂量率
2011/8/19
对两种不同类型
BiMOS
运算放大器(JFET-
Bi
,P
MOS
-
Bi
)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,
BiMOS
运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性。另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。
存档文本
存档附件
原文地址
文献传递
中国研究生教育排行榜
-
条
正在加载...
中国学术期刊排行榜
-
条
正在加载...
世界大学科研机构排行榜
-
条
正在加载...
中国大学排行榜
-
条
正在加载...
人 物
-
篇
正在加载...
课 件
-
篇
正在加载...
视听资料
-
篇
正在加载...
知识库
-
篇
正在加载...
研招资料
-
篇
正在加载...
知识要闻
-
篇
正在加载...
国际动态
-
篇
正在加载...
会议中心
-
篇
正在加载...
学术指南
-
篇
正在加载...
学术站点
-
篇
正在加载...