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搜索结果: 1-1 共查到“BiMOS”相关记录1条 . 查询时间(0.038 秒)
对两种不同类型BiMOS运算放大器（JFET-Bi，PMOS-Bi）γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示，BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性，在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长，剂量率较高时，扰动时间呈现出饱和特性。另外，输入信号不同，输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。

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