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采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触（图）
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
近日，中国科学院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20~30 nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd 金属，获得了低阻的p型欧姆接触。在工作中研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，最佳退火温度为550 ℃，当温度高于该温度时，薄层电阻增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率低约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p...
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题，“光”被认为是一种非常有潜力的超高速传输媒介，可用于硅基芯片以及系统间的数据通信。但是，硅作为间接带隙材料，发光效率极低，难以直接作为...
视频：大师论坛：Material Challenges for InGaN-based G
视频 大师论坛 Material Challenges for InGaN-based G
2014/11/28
视频：大师论坛：Material Challenges for InGaN-based G。
量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响
InGaN LED 电路模型 上升时间
2013/11/30
理论上研究了当 InGaN 发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系。结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现。结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构。
量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响
InGaN LED 电路模型 上升时间
2013/12/2
理论上研究了当 InGaN 发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系。结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现。结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构。
In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响
In含量 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管
2013/9/28
运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系。分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因。当In含量较低时,随着电流密度增大(<8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(>8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低;而当In含量较高时,随着电流密度增大,...
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响
MOCVD 高度调节 InGaN/GaN量子阱
2013/10/16
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In...
运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验，分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱，发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM)，说明PSSLEDs具有较高的晶体质量。其次，PSSLEDs的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽，而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相...
Influences of excitation-dependent bandstructure changes on InGaN light-emitting diode efficiency
excitation-dependent bandstructure InGaN light-emitting diode efficiency Mesoscale and Nanoscale Physics
2011/8/2
Abstract: Bandstructure properties in wurtzite quantum wells can change appreciably with changing carrier density because of screening of quantum-confined Stark effect. An approach for incorporating t...
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管， 在（ ０ ０ ０ １） 蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统， 生长了双波长发射的Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｎ ／ Ｇ ａ Ｎ多量子阱发光二极管结构．通过对不同Ｉｎ组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析， 结果表明Ｉ ｎ组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响．此外，用双蓝光发射的芯片来激发ＹＡＧ：...
提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN 双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN 刻蚀成纳米阵列结构. 我们使用Ni 退火形成微结构掩模, 通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN 刻蚀纳米阵列结构. 同时, 提出了两步刻蚀n-GaN 台面的制作工艺, 以此在形成p-GaN 纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN 层表面, 以此改善后续金属电极的沉积. 经测试, 含有p-Ga...
Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes
GaN LED electroluminescence reverse-bias leakage current hot carrier
2011/5/5
This study investigates the reliability physics of the reverse bias luminescence (RBL) of
InGaN/GaN light emitting diodes. Optical and electrical characterization techniques including
surface temper...
InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究
太阳能电池 辐照损伤 光致发光
2009/10/21
研究表明,In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0.7eV改变到3.4eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和GaInP有更高的电阻,因此,给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力.实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征,该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释.该缺陷能用...
分别采用532，488 nm可见光和325 nm紫外光激发，对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时，E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时，A1(LO)模向低频方向移动且共振增强，此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下，在A1(LO)模的高频方向观察到一个宽峰，此...