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新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
第七届MOS-AK器件模型国际会议在南京邮电大学举行（图）
南京邮大 MOS-AK器件 半导体器件
2024/2/5
为推动微电子及集成电路学科高质量发展，发挥学校学科特色，深入推动国际交流与合作，2023年8月11日至13日，南京邮电大学和南京航天航空大学共同主办的第七届MOS-AK器件模型国际会议（The 7th International MOS-AK Workshop，简称MOS-AK 2023）在我校仙林校区举行。弘模半导体技术（上海）有限公司和南京邮电大学南通研究院共同承办此次会议。
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 存储功能 MOS器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 金属源漏 SOI MOS晶体管
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器
西安电子科技大学场效应器件物理课件第一章 MOS结构。
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW）MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。
近日，北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心唐宁、沈波课题组与戴伦课题组合作开展了单层MoS2材料在流体静压力作用下的光谱性质研究，发现其能谷直接-间接带隙的转变。相关工作于2017年11月3日在Science Advances上在线刊登【Science Advances，3，e1700162（2017）】。唐宁、沈波课题组与戴伦课题组合作利用大面积高质量的单层M...
2016年6月26日至28日，国际MOS-AK研讨会在中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功举办。本次研讨会由中国科学院上海微系统与信息技术研究所（SIMIT）的信息功能材料国家重点实验室和上海微技术国际合作中心（SIMTAC）联合主办。由是德科技有限公司（Keysight Technologies）、北京博达微科技有限公司（PDA）、深圳市易捷测试技术有限公司等参与赞助。为期三天的研讨会吸引了...
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第十一章 MOS模拟集成电路。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第六章 MOS反相器
电子科技大学成都学院 集成电路原理 课件 第六章 MOS反相器
2016/5/6
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第六章 MOS反相器。
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础（三）。
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础（二）。