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圆偏振发光(CPL)材料在3D显示、信息加密、光电探测等领域表现出重要应用前景,引起广泛关注。CPL材料的性能主要通过发光不对称因子和发光量子效率两个重要参数进行表征。目前,合成兼具高不对称因子和高发光效率的CPL材料是该领域的一个难点。此外,CPL分子材料通常从单一手性物质与发色团相结合得到,并通过分子组装实现手性放大。如何从消旋分子出发,获得高性能CPL材料是该领域的一个挑战性课题。
中国科学院福建物构所构筑出首类手性铝氧簇用于圆偏振发光(图)
金属 稀土 晶态化合物
2024/3/15
手性普遍存在于自然界,是生命体系的基本特征之一。从原子级水平上研究手性团簇的手性来源、多重手性,对手性化学和团簇化学具有重要意义。然而,手性金属有机簇合物仅约占手性晶态化合物的7.8%,集中在贵金属、稀土和过渡金属。2024年3月12日,中国科学院福建物质结构研究所研究员方伟慧采用协同配位合成策略,构筑出首类手性铝氧簇(cAlOCs),并应用于圆偏振发光。
中国科学院物理研究所通过界面缓冲层控制实现单层MoS2单晶晶圆(图)
界面 半导体器件 晶体
2024/3/16
随着芯片制程的发展和晶体管尺寸的持续微缩,传统硅基半导体器件达到了物理极限,面临着性能与功耗的瓶颈。以MoS2为代表的二维半导体材料,因其极限的物理厚度、表面原子级平整且无悬挂键、高本征迁移率、强的栅控能力,是解决当前晶体管微缩瓶颈,及构筑速度更快、功耗更低、亚10 nm 高性能半导体芯片的一类战略新材料。国际半导体联盟在2015年的技术路线图(International Technology R...
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破(图)
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管,可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破(图)
晶圆制造 薄膜沉积
2023/12/3
2023年10月20日,上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展,制备出了国内第一片300 mm 射频(RF)SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台,依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题,实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重...
国家纳米科学中心等离子体纳米颗粒增强的上转换圆偏振发光(图)
金属等离子体 纳米颗粒 圆偏振发光
2023/8/16
圆偏振发光(CPL)材料在3D显示、光学存储、信息加密等领域有着巨大的应用潜力。目前,发展具有高发光不对称因子(glum)的材料是其实际应用的关键。在之前的报道中,研究人员发现通过三重态-三重态湮灭(TTA)实现的上转换圆偏振发光比直接激发手性分子的圆偏振发光具有更高的不对称因子。但是该体系的glum依然有提升的空间,而且激子湮灭机制对发光量子效率也存在负面影响。2023年1月13日,国家纳米科学...
华东理工大学圆偏振钙钛矿发光研究获新进展
圆偏振钙钛矿 发光研究 不对称因子
2022/6/16
中国科学院福建物质结构研究所白光圆偏振发光材料研究获进展(图)
白光圆偏振 发光材料 圆偏振发光 手性化合物
2022/9/21