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中国科学院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域获进展（图）
微电子所 集成技术 电子器件
2023/3/15
磁随机存储器（MRAM）因具有非易失性、低功耗以及高访问速度等特点，在未来新兴存储领域颇具应用前景。尤其是基于自旋轨道矩（SOT）技术的MRAM存储器具有超高速、高耐久性的优势，更适用于高速缓存。然而，在SOT-MRAM集成中存在技术瓶颈，制约了其走向应用。隧道结的刻蚀工艺是关键的技术挑战和难点之一。在SOT隧道结（SOT-MTJ）刻蚀过程中，金属副产物的反溅使得MTJ的MgO隧穿势垒层（厚度~1...
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。课题组联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8吋CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块，在国内首次实现了晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备，器件隧穿磁电阻比（TMR）达到100%以上...
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
一种新型磁随机存取存储器（MRAM）
存储单元；磁随机存储器
2008/11/20
存储器作为存储单元的磁性隧道结由长椭圆形改为100纳米尺度的圆环形磁性隧道结，在当环状自由层相对环状钉扎层的磁矩都是沿顺时针排列或都是沿逆时针排列时，属于完好的平行状态，隧道结电阻呈低电阻值；而当环状自由层相对环状钉扎层的磁矩一个是沿顺时针排列而另一个是沿逆时针排列时，属于反平行状态，隧道结电阻呈高电阻值。该存储器还增加了磁性隧道结结构的组合方式，可以采用或不采用反铁磁钉扎层，并且直接采用通过纳...