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近日，《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）和《物理评论材料》（Physical Review Materials）刊发了华中科技大学武汉光电国家研究中心肖泽文教授课题组关于氯化物钙钛矿宽禁带半导体可掺杂性的研究成果。两篇论文的题目分别为“p‐Type Transparent Quadruple Perovskite Halide Conductors: F...
上海科技大学物质科学与技术学院米启兮课题组报道新型高性能半导体材料（图）
新型高性能；半导体材
2021/11/15
上海科技大学物质科学与技术学院系统材料学研究部米启兮课题组针对一种化学式为CsSnBr3（溴化锡铯）的新型半导体材料进行了深入研究。与同类材料相比，更有利的晶体结构和能带结构使CsSnBr3在光照下产生自由载流子，对温湿度的稳定性也有显著提升，展现出在太阳电池和光探测器方面的良好应用前景。近日，该成果以“All-Inorganic Perovskite CsSnBr3as a Thermally ...
飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究
2007/12/12
摘要 采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜; 用X射线衍射(XRD), 场扫描电镜(FESEM), 能谱仪(EDX), 傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能. 观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据, 并在室温(2℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光, 其发光波长为1....