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近日，中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则，同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。
赵家生会长受邀出席四川丽豪半导体项目开工仪式（图）
赵家生 四川丽豪 半导体项目 开工仪式
2023/5/15
2023年3月31日，中国有色金属工业协会原副会长，硅业分会会长赵家生受邀出席四川丽豪半导体项目开工仪式并致辞。
随着国际半导体行业已经进入了“后摩尔时代”，对微电子新材料和新器件的研发提出了更高要求。以过渡金属硫族化合物（MoS2、WS2等）和黑磷等为代表的二维半导体材料，具有原子级厚度和丰富的能带结构，而且其平面制造工艺与现有的CMOS工艺相兼容，吸引了微电子学术和产业界的广泛关注。对我国当前半导体形势来说，发展基于二维半导体的芯片工艺也具有极其重要的战略意义。
中国科学院半导体研究所等在面向后摩尔时代的半导体材料“异构外延”研究中获进展（图）
石墨烯 氮化物 单晶 薄膜
2021/8/2
近期，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学、北京石墨烯研究院、北卡大学的科研团队合作，实现了石墨烯玻璃晶圆氮化物“异构外延”突破，证实了氮化物外延摆脱衬底限制的可能性，为不同半导体材料之间的异构集成提供了新思路。研究人员提出一种纳米柱辅助的范德华外延方法，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD），首次在玻璃衬底上成功外延出连续平整的准单晶氮化镓（GaN）薄膜，并制备出蓝光发光二极管（LED）...
电子科技大学微电子与固体电子学院电子材料课件6 半导体陶瓷
电子科技大学微电子与固体电子学院 电子材料 课件 半导体陶瓷
2009/8/18
电子科技大学微电子与固体电子学院电子材料课件6 半导体陶瓷。