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中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”罗军华研究员团队利用双光子吸收效应，通过手性二维钙钛矿单晶实现了可见-近红外双模圆偏振直接探测。
中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”罗军华研究员团队以创制强光电耦合的新型光铁电晶体材料为主要目标，成功设计制备出系列铁电极化与半导体光生载流子耦合的杂化光铁电体，开辟了杂化“光铁电半导体”研究新领域；发展出新一代铁电极化驱动的光电探测技术、高灵敏偏振探测技术及高性能高能射线探测技术。
中国科学院福建物质结构研究所高居里温度“光铁电半导体”获得进展（图）
高居里温度 光铁电 半导体
2021/9/16
中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”罗军华研究员团队以创制强光电耦合的新型光铁电晶体材料为主要目标，成功设计制备出系列铁电极化与半导体光生载流子耦合的杂化光铁电体，开辟了杂化“光铁电半导体”研究新领域；发展出新一代铁电极化驱动的光电探测技术、高灵敏偏振探测技术及高性能高能射线探测技术。
内嵌有机半导体的二维钙钛矿材料研究获新进展（图）
二维钙钛矿材料 光电特性 内嵌有机半导体
2021/8/6
美国普渡大学Letian Dou（窦乐添）教授近期在《国家科学评论》（National Science Review, NSR）上发表Perspective文章，建议将这类有机半导体钙钛矿杂化材料命名为“OSiP”：organic semiconductor-incorporated perovskite。
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展（图）
半导体材料 石墨烯 氮化物
2021/8/2
中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学、北京石墨烯研究院、北卡大学的科研团队合作，实现了石墨烯玻璃晶圆氮化物“异构外延”突破，证实了氮化物外延摆脱衬底限制的可能性，为不同半导体材料之间的异构集成提供了新思路。
自上世纪70年代表面增强拉曼光谱（SERS）面世后，贵金属基底的引入将拉曼检测灵敏度提升了百万倍，克服了传统拉曼光谱与生俱来的信号微弱等缺点，使得拉曼检测在食品安全、环境监测、生命科学等领域得到广泛应用，并迅速成长为最为灵敏的表面物种现场谱学检测技术之一。然而，人们欣喜的同时却遗憾地发现，SERS仅在金、银、铜等贵金属的粗糙表面才具有高活性，基底的选择十分有限；且实际应用中，金、银、铜增强材料还易...
2013年6月16日-17日，2013海峡科技专家论坛暨海峡两岸先进半导体封装材料发展趋势研讨会在厦门云顶山庄酒店顺利举行。本次论坛为期两天，由中国材料研究学会、中国材料科学学会（台湾）、中国集成电路材料产业技术创新联盟、厦门大学主办，厦门大学材料学院、德邦科技有限公司承办。来自海峡两岸的数十名专家、教授将围绕先进半导体封装材料的研发与应用进行深入的探讨与交流。开幕式由厦门大学材料学院院长刘兴军教...
半导体所召开2010年度夏季发展战略研讨会（图）
半导体所 夏季发展战略 研讨会
2010/8/12
为进一步深化科研布局，凝练科技目标，提升战略重点，深入研讨“十二五”和“创新2020”的新形势、新思路、新任务、新举措，7月25日至27日，半导体所召开了2010年度夏季发展战略研讨会。所长李晋闽，党委书记陈树堂，副所长陈弘达，副所长、副书记李树深，副书记张春先，学术委员会委员，各实验室(中心)负责人，课题组长等共30余人参加。
第360次香山会议研讨“高效氮化物半导体白光照明材料”
第360次 香山会议 照明材料
2009/11/20
以“高效氮化物半导体白光照明材料及芯片基础问题”为主题的第360次香山科学会议2009年11月19-20日在北京举行。北京大学甘子钊教授、清华大学周炳琨教授、山东大学蒋民华教授、中科院半导体研究所王占国研究员、南京大学郑有炓教授担任会议执行主席。
中国科学院化学研究所成功实现光控有机－无机半导体异质结纳米线的可控构筑
无机杂化纳米材料 可控构筑
2008/9/19
在国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室的研究人员在可控构筑有机/无机半导体异质结纳米线的研究方面又取得了新的进展，相关的研究结果已经发表在J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 9198-9199。
有机固体院重点实验室的科研人员在光控有机/无机P－N结纳米线的构筑研究方面取得了新进展，实现了有机/无机半导体P－N结纳米线的可控...
半导体所高性能GaN外延材料研究取得进展
半导体
2008/1/18
近日，由中国科学院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓(GaN)外延材料研究”通过了专家鉴定。以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继半导体第一代硅材料和第二代砷化鎵材料之后，在近十年迅速发展起来的新型宽带隙半导体材料，是目前全球半导体研究的前沿热点和各国竞相占领的战略高技术制高点。2002年中国科学院瞄准国家重大战略需求和世界科技前沿，将“新型高頻大功率化合...