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【浙江工业大学姚建华教授团队】激光辅助化学气相沉积研究进展（图）
激光辅助 化学气相沉积 LCVD技术 共振光解
2022/6/13
化学气相沉积 (Chemical vapor deposition，CVD)是利用前驱反应物气体在高温高压下，通过原子、分子间的化学反应，在预置衬底上生成固态薄膜的技术，是无机功能材料制备的重要技术之一。然而，传统 CVD技术依赖于对反应体系的整体加热激活化学反应，从而实现薄膜沉积，能量利用率低效导致反应过程缓慢 (薄膜沉积速率为10 ~100 nm/min)，高温生长条件会降低薄膜/基底界面热机...
基于熔融玻璃的预沉积法生长毫米级单晶MoS2及WS2-MoS2异质结
二硫化钼 熔融玻璃 化学气相沉积 异质结
2022/3/11
MoS2是一种具有优异光电性能和奇特物理性质的二维材料，在电子器件领域具有巨大的应用潜力。高效可控生长出大尺寸单晶MoS2是该材料进入产业应用所必须克服的重大难关，而化学气相沉积技术被认为是工业化生产二维材料的最有效手段。本文介绍了一种利用磁控溅射预沉积钼源至熔融玻璃上，通过快速升温的化学气相沉积技术生长出尺寸达1mm的单晶MoS2的方法，并通过引入WO3粉末生长出了二硫化钼与二硫化钨的横向异质结...
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在提升电子束蒸发沉积激光薄膜的长期性能稳定研究中取得新进展，实现了低应力、光谱和机械性能长期稳定的电子束激光薄膜制备。相关研究成果发表在《光学材料快报》（Optical Materials Express）。电子束蒸发沉积薄膜因其激光损伤阈值高，光谱均匀性好且易实现大口径制备而广泛应用于世界上各大型高功率激光系统中。然而，电子束蒸发沉积薄膜的多孔...
近日，清华大学材料学院伍晖副教授课题组开发出一种全新的纳米颗粒制备技术，首次提出利用高速旋转卷对卷装置控制纳米颗粒的生长过程，成功实现了金属单质、合金和金属氧化物等多种材质的纳米颗粒制备，为金属纳米粉末的合成提供了新思路和新机遇。
有机-无机杂化钙钛矿薄膜在可见光范围具有优异的光吸收和能带调控特性，以及较长的载流子寿命，近年来一直是研究关注的热点。然而，通常的钙钛矿材料（CH3NH3PbI3）热稳定性差，且对湿度敏感，也大大限制了其规模化光伏器件应用。如何提高其稳定性并保持较高的光电转换效率，一直是困扰钙钛矿材料进一步发展的问题。近日，南京大学电子学院余林蔚教授课题组与合肥工业大学材料学院蒋阳教授团队合作，提出采用精确可控的...
射流电沉积涂层激光重熔的力学性能强化
纳米涂层 激光重熔 射流电沉积 力学性能
2016/11/29
为了提高射流电沉积层的力学性能，研究了激光重熔对射流电沉积沉积层性能的影响，优化了相关工艺参数。采用射流电沉积方法在304不锈钢表面制备纳米结构铜沉积层后开展激光重熔工艺。采用扫描电镜和X射线衍射仪观察涂层表面形貌和晶粒尺寸，并对涂层进行了力学性能测试。测试结果表明：在优化的工艺参数下（电流密度为200 A/dm2，扫描速度为10 mm/s），射流电沉积制备铜沉积层表面较平整，微观结构较致密，由尺...
原子层沉积法制备微通道板发射层的性能
微通道板 原子层沉积 氧化铝纳米薄膜 二次电子发射层
2016/11/22
随着微通道板的不断发展与完善，通过改善传统工艺提升其性能越来越困难，开发提升微通道板性能的新技术迫在眉睫。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板的发展提供了契机，利用原子层沉积技术在通道内壁沉积一层氧化铝纳米薄膜，作为二次电子发射功能层，可以增强通道内壁的二次电子发射能力，从而提升微通道板的增益性能。通过优化原子层沉积工艺参数可以在微通道板的通道内壁沉积厚度均匀的氧化铝薄膜。研究结果表明，...
PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响
氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度
2016/7/29
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层,并讨论了AlN薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300~370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。
为了使新型薄膜太阳能电池结构中的ZnO纳米柱阵列能高效捕获光子与收集载流子,研究了提高ZnO纳米柱阵列的电导率和操控其光学性质的方法。使用电沉积方法在溶解有Zn(NO3)2、NH4NO3、Al(NO3)3的水溶液中制备了Al掺杂的ZnO纳米柱阵列。实验显示,通过控制电解液中NH4NO3的浓度可操控所制备的ZnO纳米柱阵列的直径、密度和间距。电解液中NH4NO3浓度的增加会导致所制备的ZnO纳米柱中...
提出了一种测试电沉积应力演变的方法.其机理为当带金属包层的布喇格光纤光栅为阴极进行电沉积时, 在沉积应力作用下, 布喇格光纤光栅的中心波长将发生漂移, 以此可推知沉积应力的大小.测试中首先利用光纤光栅解调仪记录电沉积应力作用下的布喇格光纤光栅中心波长的偏移量, 并将整个沉积时间分成小的时间段;然后依据沉积速度和标定的不同沉积厚度下的布喇格光纤光栅应力灵敏度, 计算出每时间段的应力值;最后将各时间段...
脉冲激光热力冲击效应对电沉积的作用
脉冲激光 热力冲击 电沉积 复合加工
2016/8/4
脉冲激光电化学复合沉积利用激光的热力冲击效应可以有效提高沉积效率,改善加工质量。在所构建的纳秒脉冲激光电化学沉积加工系统中,利用激光辐照和电化学沉积的方法对铜进行了复合沉积试验。分析了激光的热力冲击效应对电沉积的作用机理,激光产生的力效应使阴极基片发生弹性变形,改变了电极电势和电流密度,提高了电沉积质量。通过加工试验,研究了激光平均功率密度对沉积质量和沉积效率的影响,并进行了讨论。试验结果表明,激...
采用正交试验设计方法，系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜的沉积速率与工艺参数（基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量）之间的关联性。采用正交表L9（34）设计了9 组实验，采用时间监控的离子束溅射沉积方法，分别制备HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜，并对三种薄膜的27 个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度，继而获得沉积速率。实验结果表明：对Ta2O5 和SiO2 薄膜...
SiNx：H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响
SiNx：H界面态 Si/N 开关比 TFT特性
2014/3/19
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7:15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×107。适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力。优化S...
采用激光沉积技术对BT20钛合金锻件加工超差及服役损伤进行修复，对修复过程中气孔和熔合不良等缺陷的形成进行了原因分析，并采用了优化工艺参数，对激光熔池施加超声外场等手段，获得无缺陷的修复试样。考察了试样的微观组织和主要合金元素的分布，测量了激光沉积层的显微硬度。结果表明：优化工艺参数后得到的修复组织和基体形成致密的冶金结合，而施加超声外场使修复区的气孔率明显下降；修复试样整体无合金元素的偏析，显微...