搜索结果: 1-13 共查到“物理学 二维电子”相关记录13条 . 查询时间(0.203 秒)
硅和氧是地球表面含量最高的两种元素。半导体硅的性质非常优异且均衡，一直是半导体和集成电路产业界的绝对主流材料，其中一个关键原因是硅的自身氧化物二氧化硅同时兼具高度致密、均匀、绝缘的特性，且二者界面质量高。热氧化产生的二氧化硅层可用作器件的栅介质、晶圆表面钝化层、扩散掺杂阻挡层等等，作为硅的完美伴侣在各种电子器件和数字集成电路的加工和应用中发挥了极其重要的作用。除硅之外的其它半导体材料（锗、硅锗、砷...
氧化物二维电子气体系(LaAlO3/SrTiO3)是一个理想的Rashba界面，是实现自旋流和电荷流相互转化的理想载体。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室孙继荣团队与北京大学教授韩伟合作，利用铁磁共振实现自旋泵浦的办法，在LaAlO3/SrTiO3界面观察到了自旋与电荷流之间的相互转化，其自旋信号可以持续到室温，并且可以利用门电压进行调控(Sci. Adv. 3, ...
针对如何获得自旋极化二维电子气，如何实现对电子气的高效调控等问题，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室孙继荣团队展开了系统深入的研究，先后发现光激发与栅极电压结合会产生协同效应，使栅极电压对界面电子气的调节效应强化了两个量级（Nat. Commun. 5, 5554 (2014)）。随后，他们利用EuO对二维电子气的磁邻近效应，成功地在EuO/KTaO3界面获得了强磁...
氧化物界面自旋极化二维电子气（图）
氧化物界面 自旋极化 二维电子气
2018/9/26
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室博士研究生张洪瑞、张慧等在孙继荣研究员指导下，利用磁性绝缘氧化物EuO与KTaO3组合，成功地在EuO-KTaO3界面获得了高自旋极化、高导电性的二维电子气。研究发现二维电子气表现出标志其具有明显磁有序特征的滞后磁电阻效应与反常霍尔效应，且这些效应加温至70 K时仍然可分辨。此前在LaAlO3/SrTiO3 二维电子气中发现的...
自旋电子学可能导致面向未来的新一代信息技术。自旋流的产生、调控以及自旋流-电流的转换是自旋电子学研究的核心问题。具有Rashba 形式自旋-轨道耦合的二维电子体系为自旋流的高效调控提供了新机遇。对于二维电子体系，V. M. Edelstein 预言存在一种新物理效应，即，Edelstein效应：与二维体系电流传输方向相垂直的方向上会产生纯自旋流。与此相反，当自旋流被注入二维电子体系时，二维界面的R...
Science Advances刊登韩伟课题组关于全氧化物界面Rashba二维电子气中自旋和电荷转换的研究工作（图）
Science Advances 韩伟课题组 全氧化物界面 Rashba 二维电子气 自旋 电荷转换
2017/3/24
近日，北京大学量子材料科学中心韩伟课题组与中科院物理所孙继荣课题组合作，对Rashba自旋分裂的二维电子气进行了自旋注入和自旋电荷转换的研究，并在室温成功地发现逆Edelstein效应产生的自旋信号。该工作被Science Advances杂志以标题“Observation of Inverse Edelstein Effect in Rashba-Split 2DEG between SrTiO...
南京大学现代工程与应用科学学院聂越峰教授在氧化物外延薄膜准二维电子态研究上取得进展（图）
聂越峰 氧化物 电子 南京大学
2015/9/11
我校现代工程与应用科学学院、固体微结构物理国家重点实验室、微结构科学与技术协同创新中心的聂越峰教授与美国康奈尔大学以及以及意大利CNR-SPIN合作，在复杂氧化物准二维电子液体研究方面取得重要进展，其研究成果 《Formation and Observation of a Quasi-Two-Dimensional dxy Electron Liquid in Epitaxially Stabil...
半导体异质结界面二维电子气（2DEG）是一片发现新奇物理现象和发明新型电子器件的沃土，例如GaAs/AlGaAs异质界面2DEG的分数量子霍尔效应，HgTe/CdTe异质结的量子自旋霍尔效应，高亮度InGaN/AlGaN异质结蓝光发光二极管和高电子迁移率场效应晶体管等都是在半导体异质结的2DEG中发现或发明的。最近，浙江大学物理系吴惠桢研究小组与袁辉球研究小组、美国圣地亚国家实验室、美国北卡罗来纳...
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组与复旦大学教授张远波课题组合作，继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后，再次在薄层黑磷晶体研究中取得新进展，成功在这一体系中实现高迁移率二维电子气。相关研究成果发表在5月18日的《自然·纳米科技》上。
中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学物理系张远波教授课题组合作，继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后，再次在薄层黑磷晶体研究中取得重要进展，成功在这一体系中实现高迁移率（>1,000cm2V-1s-1）二维电子气。这意味着黑磷已经成为在电子学领域有广泛应用前景的新型二维明星材料。相关研究成果以“Quantum oscillations in a two-dimens...
研究发现，当条件合适时，在电子关联氧化物异质界面LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）附近可形成二维电子液体。与常规半导体二维电子气不同，势阱中的电子具有d电子特征，可以占据不同的d轨道，从而带来了一系列新特性，例如磁场依赖的输运行为、铁磁性和超导电性等。
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性，即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一，获得了2010年度欧洲物理学奖。