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室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究获进展（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 InP基无锑量子阱激光器 高铟组分InGaAs材料
2015/4/13
2-3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化，成功研制出波长达2.9微米的激光器，这是当前国际报道的波长最长InP基无锑量子阱激光器。该工作已在Applied Physics Letters 杂志上发表并引起国际广泛关注，国际半导体领域行业杂志Sem...
5月30日，国家自然科学基金委员会工程与材料科学部组织专家在长春对由中科院长春光学精密机械与物理研究所宋航研究员主持的重点项目“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究”进行了结题验收。专家组由来自我国材料科学界知名专家组成，基金委领导和工程与材料科学部领导参加了重点项目结题验收会。