搜索结果: 1-15 共查到“工学 光电子器件”相关记录52条 . 查询时间(0.2 秒)
中国科学院化学所本征柔性可拉伸光电子器件研究获进展（图）
柔性 光电子器件
2024/4/11
有机聚合物半导体材料因独特的分子结构和弱的范德华作用，被赋予可溶加工和易柔性化的特点，在便携式和可植入式医疗监测设备等方面具有应用潜力。超柔性、高皮肤共形性和优异空间分辨率的X射线探测器，有望与弯曲物体和运动实体系统集成，以实现本征柔性和高灵敏的类皮肤X射线探测器。然而，基于有机聚合物半导体材料的X射线探测器件在辐照下的稳定性以及图像分辨率较差，制约了该类器件的应用。中国科学院院士、化学研究所有机...
中国科学院金属研究所双重功能光电子器件研究取得新进展（图）
光电子器件 光电探测器
2023/11/11
光电探测器和神经形态视觉传感器作为两种典型的光电子器件在光信息的感知和处理方面发挥着重要作用。光电探测器具有快速的光响应和高灵敏度，适用于光学传感、通信和成像系统等领域。而神经形态视觉传感器受人眼视觉系统的启发，能够感知、存储和处理光信号。两种光电子器件各具特点且功能互补。因此，如果能在单个器件上实现光电探测器和神经形态视觉传感器的集成，并可按应用场景进行切换，无疑将大幅提高光电子器件的集成度并拓...
兰州大学研究团队在薄膜铌酸锂集成光电子器件领域取得重要突破（图）
薄膜 膜铌酸锂 集成光电子器件
2023/11/9
铌酸锂材料具有优异的电光、声光和光学非线性效应，素有光电子时代“光学硅”的称号。近年来，薄膜铌酸锂作为新的集成光电子材料平台受到了广泛的关注，基于该平台的光电子器件库也得到了快速的发展。相较于硅材料，铌酸锂材料的折射率较低，器件的尺寸也较大，这不仅降低了光电子芯片的集成度，还对计算资源和时间提出了更高的要求。因此，在薄膜铌酸锂平台上制作出光学微结构来降低器件尺寸、提升芯片集成度是一项非常具有吸引力...
热烈祝贺中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心马骁宇研究员获得国家技术发明奖二等奖（图）
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 马骁宇 国家技术发明奖 空间全固态激光器
2022/10/4
2021年11月3日上午，2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重召开，中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心马骁宇研究员获得国家技术发明二等奖。马骁宇研究员带队研制的大功率半导体器件在探月等国家重点工程中发挥了重要作用，研究团队与中国科学院上海光学精密机械研究所合作项目“空间全固态激光器技术及应用”，2020年荣获国家技术发明二等奖。
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心（以下简称“工程中心”）是由国家发改委（原国家计委）根据我国光电子技术及其产业化的要求和国内外市场的需要，依托中科院半导体所组建并运行的国家级工程研究中心。旨在针对国家亟需的光电子器件开展工程化研究，为产业化提供所需的关键技术、共性技术及成套工艺。工程中心于1992年7月1日原国家计划委员会计科技函〔1992〕29号文件，批准成立，并于1996年12...
南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授联合多伦多大学吕正红院士课题组发表关于钙钛矿光电子器件表界面研究进展的重要综述性文章（图）
南方科技大学深港微电子学院 于洪宇 多伦多大学 吕正红 钙钛矿光电子器件 表界面
2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授课题组与加拿大多伦多大学吕正红教授（南方科技大学和云南大学访问教授）课题组合作，系统总结了光电子器件中钙钛矿半导体表界面的原子排列、缺陷态以及能带结构，并首次拓展讨论了基于界面间隙态理论的能级排列基本物理和关键方程，最后结合当前研究进展提出适用于钙钛矿异质结钝化的能带构型，相关成果以“Recent Progress on Perovskite Surfac...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心面研制了硅激光器阵列、硅基高速调制器阵列、硅基MUX、DEMUX、路由器和硅基锗探测器阵列，初步探索了基于CMOS技术的硅光芯片上的多功能器件集成技术，研制了硅基混合集成宽带高速光访存芯片；基于光子态电子态联合调控新原理新方案，发展了光子晶体半导体激光的全套具有自主知识产权的技术体系，应用光子晶体激光器开发的激光微推进器系统将于年底在微小卫星上完成搭...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向光电子器件工艺与检测平台技术
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 光电子器件工艺与检测平台技术 光电子器件 工艺与检测
2022/10/4
中国科学院半导体所国家工程中心所属半导体所元器件检测中心，是半导体所可靠性检测平台，先后为大功率激光器、激光探测与制导等产品和项目提供湿热和温度冲击、离心等适应能力和结构可靠性方面的检测服务，为国家工程中心各项目的顺利实施提供了保障。
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心探究并掌握了集成芯片结构设计、制备工艺和高效封装及模块化技术，成功研制出以窄线宽半导体激光器、大功率低噪声光放大器、宽带高饱和功率探测器为代表的十余款高性能光电子集成器件产品。相关研究成果成功应用于“实践十三号卫星”、“北斗三代导航星间激光链路”、“高分多模卫星”和“片上雷达”等十余项国家级重要型号和重点任务，为国家相关重大工程的顺利实施提供了自主可...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点，承接多项国家重点研发计划，在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料，波长<280nm的深紫外LED，输出光功率超过110mW，开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组，推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
2022/10/4
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制，针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求，突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术，实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障，为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。
近日，中南大学物理与电子学院何军、蒋杰等人在国际顶级期刊Advance Materials杂志上发表了题为“Sub-10 nm Vertical Organic/Inorganic Hybrid Transistor for Pain-Perceptual and Sensitization-Regulated Nociceptor Emulation”的研究成果（2019，DOI: 10.100...
2019年7月27日，材料学院新材料与器件研究中心团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上发表了关于二维光电子器件的突破性研究成果： Reconfigurable Two-Dimensional Optoelectronic Devices Enabled by Local Ferroelectric Polarization。材料学院2016级博士生吕亮为论文第一作者...
成都信息工程大学2019年硕士研究生自命题光电子器件考试大纲。