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过渡金属钙钛矿氧化物表现出丰富的物理性质,为凝聚态物理和材料科学的研究提供了一个广阔的舞台。简单钙钛矿具有ABO3构型,若将B位放入两种金属离子,则会衍生出B位有序钙钛矿A2BB'O6。在后者中,两种过渡金属离子间将产生B-B/B'-B'/B-B'等多重磁关联,他们间的竞争将诱发丰富磁电性能。如果同时将高、低轨道d电子的过渡金属元素填入B位,例如3d(B)-5d(B')的组合,由于同时具有强关联效...
2022年8月24日,中科院合肥研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队郑国林研究员与澳大利亚皇家墨尔本理工大学Lan Wang教授以及华南理工大学赵宇军教授等人合作,首次利用门电控制二维异质结界面的质子插层,实现了范德瓦尔斯铁磁(FM)金属-反铁磁(AFM)绝缘体界面exchange-bias(交换偏置)效应的电调控,为构筑更多界面耦合效应可控的范德瓦尔斯异质结器件提供了新的技术手段。相关研究成果...
当自旋极化的载流子绝热地经过特定的实空间拓扑自旋结构时,这些自旋结构能像外加的磁场一样对载流子施加额外的作用,使载流子获得一定的贝里相位,系统因此产生类似于霍尔效应一样的横向电压。但和霍尔电压不同,这种电压既不和外加磁场成正比,也不和系统的磁化强度成正比,这一效应被称之为“几何霍尔效应”或“拓扑霍尔效应”,是倒空间贝里相位所产生的反常霍尔效应在实空间所对应的物理现象。产生该效应的主要原因是系统中存...
自旋电子学是一门交叉学科,其核心内容是通过调控固态系统中电子的自旋自由度,将标准的微电子技术与自旋相关效应有机结合在一起,为研制新一代高性能电子器件提供机会。值得一提的是,与当今已广泛应用的金属-氧化物-半导体电子器件相比,电压(或电场)调控的自旋电子器件具有能耗低、处理速度快、集成度高及功能多等优势,近年来在信息技术领域引起了人们的普遍关注。然而,由于在一般材料中磁化强度和电场之间缺乏足够强的直...
采用磁控溅射方法,制备结构为Glass/Cu(60 nm)/[Tb(tTb=1.5,3.0 nm)/FeCo(1.5 nm)]5/Ta(10 nm)的两种不同Tb子层厚度的多层膜。采用X射线衍射分析仪、原子力和磁力显微镜、振动样品磁强计对样品的晶体结构、磁畴结构和室温磁性质进行表征,研究该多层膜系统的垂直磁各向异性和垂直交换偏置效应。X射线衍射分析表明,多层膜中Tb/FeCo界面主要呈非晶或纳米晶...

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