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近期，兰州大学物理科学与技术学院田永辉教授课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT）Arnan Mitchell教授课题组及上海交通大学苏翼凯教授课题组合作，在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积一层氮化硅薄膜，通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层可以得到氮化硅-铌酸锂异质脊型波导，解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题，并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。相关结果以“Mode an...

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