搜索结果: 1-15 共查到“无机非金属材料 纳米”相关记录224条 . 查询时间(0.337 秒)
本发明公开了一种无金属催化制备纳米碳材料的新方法。采用碳化硅高温热分解法，通过调变制备过程中的气氛实现了包括碳纳米管和石墨烯等纳米碳材料的高效、可控制备。此方法能够制备不含金属催化剂的高纯相纳米碳材料，从根本上克服了金属对纳米碳材料物理化学性质的影响。是一种简单、高效、重复性好的制备纳米碳材料的新方法。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种碳纳米管泡沫材料的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 碳纳米管 泡沫材料
2024/1/11
本发明提供了一种碳纳米管泡沫材料的制备方法。该方法以廉价的高分子泡沫为模板，通过控制实验条件使催化剂的原位生成、高分子模板的部分热裂解去除以及碳纳米材料的生长等过程同步进行，实现了碳纳米管泡沫的高效生长，其中碳纳米管沿着碳骨架三维方向缠绕交织成网状结构且具有多尺寸分布的孔径，所得材料具有大的比表面积和可控的孔隙率，良好的疏水性，优异的导电性，独特的空心骨架结构，在复合材料、传感、油水分离等领域具有...
本发明涉及一种类蛭石结构纳米层状硅酸盐材料的制备方法，该方法是由二氧化硅、气相法二氧化硅或硅酸钠与氧化铝、氧化镁和氢氧化钠通过水热法在自生压力条件下得到类蛭石结构纳米层状硅酸盐材料。通过本发明所述方法获得的类蛭石结构纳米层状硅酸盐材料具有层状结构明显，粒径均匀，杂质可控，制备方法简单易操作等优点。
本发明公开了一种纳米功能化石墨烯超低汞触媒及其制备方法，该汞触媒是由纳米氯化汞活性剂、纳米氯化物复合增效剂、纳米氯化稀土复合助剂、纳米氯化碱复合助剂、余量为功能化石墨烯载体制成，采用以功能化石墨烯为载体，在流化床内采用喷雾法浸渍纳米氯化汞活性剂、纳米氯化物复合增效活性剂、纳米氯化稀土助剂以及纳米氯化碱助剂复合液后即得到纳米功能化石墨烯超低汞触媒，利用本发明得到的纳米功能化石墨烯超低汞触媒的特性将传...
中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 Ta2AlC 纳米层状 快体陶瓷
2023/12/25
中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：具有可逆发光特性的氧化硅纳米绳及其制备方法
本发明提供了提供一种铜‑金纳米簇体系比率荧光检测三硝基甲苯的方法，该方法首先制备铜纳米簇和金纳米簇，再将铜纳米簇和金纳米簇混合，置于试管或比色皿简易检测容器内，调节pH至弱酸性后，直接实现现场快速荧光比率检测三硝基甲苯。该方法实现了对三硝基甲苯的特异性可视化检测。利用荧光光谱对硝基炸药分子的选择性和灵敏度，结果表明，加入相同浓度的三硝基甲苯和其它干扰物后，荧光光谱在445 nm处的荧光...
中国科学院金属研究所专利：氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化硅 单壁碳纳米管 纳米电缆
2023/11/28
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳...
中国科学院金属研究所专利：一种具有良好热稳定性的双壁纳米碳管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 热稳定性 双壁纳米碳管
2023/11/24
本发明涉及纳米碳管的制备技术,具体一种为具有良好热稳定性的双壁纳米 碳管的制备方法,适用于制备具有良好热稳定性的双壁纳米碳管。该方法采用阴、 阳极在压力气氛下电弧放电的方式,阳极为碳源、含结晶水催化剂前驱体和含硫 生长促进剂的混合物组成的消耗阳极,采用氢气电弧法制备；消耗阳极中的原子 比C∶(Ni、Fe、Co中的一种或两种以上)∶S＝100∶1～6∶0.1～0.5,缓冲气体 总压力为50-600乇...
中国科学院金属研究所专利：一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法
中国科学院金属研究所 专利 硅化物 纳米带 纳米片 可控制备
2023/11/24
本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术,具体为一种硅化物纳米带或 纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基 体表面于500～1500℃下发生分解反应,从而在金属基体表面原位生长出硅化物 纳米带或纳米片。本发明通过控制氯代硅烷与氢气的流量比就可以容易地实现 纳米带或纳米片的选择制备,所制备硅化物纳米带的典型尺寸如下：长度10～ 50μm,宽度0.5～5μm,厚度100～2...
中国科学院金属研究所专利：一种直径可调的单壁纳米碳管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 直径可调 单壁纳米碳管
2023/11/21
本发明涉及纳米碳管的制备技术,具体一种为具有直径可调的单壁纳米碳管 的制备方法,适用于制备具有直径可调的单壁纳米碳管。该方法采用超高氢气流 量、超低碳源流量、含铁、钴或镍有机化合物催化剂、含硫生长促进剂,在气态 下充分混合均匀后,然后输入反应区生成直径可调的单壁纳米碳管；其中：氢气 和碳源的摩尔比大于300,硫与铁、钴或镍的摩尔比为1/100-1/5。本发明采用大 流量氢气作为缓冲气体抑制超低流量...
中国科学院金属研究所专利：一种叠杯状纳米碳管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 叠杯状 纳米碳管
2023/11/21
本发明涉及纳米碳管的制备技术,具体为一种叠杯状纳米碳管的制备方法, 适用于制备短的叠杯状纳米碳管。该方法采用有机金属化合物碳源、催化剂、缓 冲气体和含硫生长促进剂,有机金属化合物同时作为碳源和催化剂前驱体,有机 金属化合物催化剂升华并与碳源在气态下充分混合均匀,然后输入反应区生成叠 杯状纳米碳管；其中,在反应区气态化合物中硫原子与碳原子的摩尔比为 1/10-1/500。本发明通过减少碳原子在反应区...
中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
中国科学院金属研究所 专利 刻蚀基板法 外延定向生长 氮化物 纳米片网络
2023/11/20
中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
中国科学院金属研究所专利：一种磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 磁性 金属颗粒 碳纳米管
2023/11/20
本发明涉及碳纳米管制备技术,具体为一种磁性金属(铁、钴、镍)颗粒修饰 碳纳米管制备方法。该方法采用有机金属化合物为碳源和催化剂,其同时作为碳 源和催化剂前驱体,有机金属化合物为有机铁、钻或镍的化合物,有机金属化合 物催化剂快速升华并与含硫生长促进剂在气态下充分混合均匀；然后,在缓冲气 体夹带下进入反应区生成磁性金属颗粒修饰碳纳米管。其中,硫与机金属化合物 中铁(钴、镍)摩尔比为0～1/4。本发明通...
中国科学院金属研究所专利：一种碳纳米管宏观体的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳纳米管 宏观体
2023/11/17
本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体为一种碳纳米管宏观体的制备方法,适用于制备单壁、双壁或多壁碳纳米管的宏观体。该方法采用含铁(钴或镍)催化剂和含硫生长促进剂,在气态下充分混合均匀,进入反应区生成碳纳米管。所生成碳纳米管漂浮在气相,随着气流方向进入低温区并过滤沉积到多孔材料上,从而形成具有多层碳纳米管薄膜堆积而成的碳纳米管宏观体。本发明可简单地通过调节工艺参数来控制碳纳米管微观结构、单层碳纳米管薄膜...