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中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱锰矿单晶的方法
中国科学院地球化学研究所 专利 菱锰矿 单晶 生长方法
2023/6/28
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱锰矿单晶的方法
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长白云石单晶的方法
中国科学院地球化学研究所 专利 白云石 生长 单晶
2023/6/28
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长白云石单晶的方法
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱镁矿单晶的方法
中国科学院地球化学研究所 专利 菱镁矿 生长 单晶
2023/6/28
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱镁矿单晶的方法
中国科学院理化技术研究所专利：一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法
中国科学院理化技术研究所专利：一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置
中国科学院理化技术研究所专利：用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚
中国科学院理化技术研究所专利：一种K2AL2B2O7晶体的助熔剂生长方法
中国科学院理化技术研究所专利：氟硼酸铍盐非线性光学晶体及生长方法和用途
中国科学院理化技术研究所专利：坩锅与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法及装置
中国科学院物理研究所专利：用于AlN单晶生长的复合籽晶及其制备方法
国外开发出固态晶体生长技术
固态晶体 生长技术 熔体加工
2024/1/17
美国得克萨斯农工大学（Texas A&M University）科研人员开发出一种无需熔体加工即可生长单晶并同时控制其生长方向的新方法——固态晶体生长（SSCG）技术。
中国科学院黑磷及其合金单晶薄膜生长研究获进展（图）
黑磷 合金单晶薄膜 纳米技术
2023/5/7
2023年3月28日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张凯等在高质量黑磷薄膜的生长制备研究中取得重要进展，首次实现了在介质衬底上黑磷及其合金的高质量单晶薄膜制备。相关研究成果以Growth of single-crystal black phosphorus and its alloy films through sustained feedstock release为题，在线发表在《...
中国科学院福建物质结构研究所专利：非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途
窄带InSb半导体材料以其具有高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，并成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体 - 超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构，如纳米线或者 2D InSb纳米结构（或量子阱），也因丰富的量子现象、优异的可调控性而显示出巨大的潜力。然而，InSb量子阱由于其大晶格常数，很难在绝缘基板上外延生长...