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中国科学院上海光学精密机械研究所揭示了在单层二维过渡金属硫系化合物（TMDs）的缺陷态密度调控激子湮灭(EEA)物理过程的研究方面取得进展（图）
单原子层TMDs 激子弛豫过程 激光器件
2022/3/1
单原子层TMDs凭借其自身具有的强空间量子限制效应与弱介电屏蔽效应，使得材料中的激子结合能在室温下达到几百meV，是研究激子超快物理过程的理想材料平台。然而，基于单原子层TMDs的发光器件，特别是应用于高激子密度的激光器件时，器件的发光效率差。目前研究成果归因于高密度的缺陷引起了激子的无辐射复合过程，而忽略了在高激子密度时缺陷对EEA物理过程影响。该研究团队利用飞秒瞬态吸收光谱系统地研究了四种CV...