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在高度集成化的电子系统中，对电子器件的抗电磁干扰和电磁兼容提出了更高要求。传统的高频磁性材料已经不能满足现代通讯对电子器件高频化、小型化的发展和信息传输宽带化的要求，也无法有效解决器件之间严重电磁干扰、电磁污染和热量散发问题。