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中国科学院微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展（图）
电路 器件 晶体
2024/2/28
IGZO薄膜晶体管（TFT）由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺，在新型DRAM的应用中备受关注。与传统的硅基1T1C DRAM相比，IGZO 2T0C DRAM具有能够实现多值存储的优势，该优势可提高各个单元的有效存储密度。但目前基于该方面的研究仅实现了单个存储单元的多值存储功能验证，以及多个单元间SN电压的均一性，仍需要较为复杂的外围电路来解决读取晶体管之间阈值电压变化的问题。
中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
中国科学院微电子所发布开源薄膜晶体管TFT工艺设计套件（PDK）（图）
薄膜晶体管 集成电路 T器件
2024/2/29
2023年10月15日，在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议（CCF DAC）openDACS开源EDA专题论坛上，微电子所集成电路制造技术重点实验室（中国科学院）发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。
合肥工业大学微电子学院电磁场与微波技术方向研究领域面向学科前沿、产业应用和国防需求，以形成从信息材料、工艺、器件、电路到系统的完善科研体系为建设目标。承担的科研任务来自国家科技部、国家自然科学基金委、发展装备部等部委和地方企事业单位。近五年来，依托微电子学院，在“微电子学”和“微波技术”交叉研究领域逐渐形成研究特色。学院为该学科方向配备有万级超净间，常见的主要微电子工艺设备和半导体特性表征设备，建...
中国科学院微电子所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展（图）
铁电存储器 电学测量
2023/8/21
基于HfO2的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响，使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。
2023年7月17日，微电子所健康电子中心黄成军研究员、赵阳副研究员团队在单细胞电学特性流式分析方法及高通量实时分析仪器研究方面取得重要进展。单细胞电学特性生物传感与分析技术为单细胞生物物理学研究提供了一个新维度。该技术已被证明在全血分析、肿瘤细胞分型和免疫细胞状态评估方面具有重要的应用潜力。但现有的电学检测方法难以实现高通量实时性分析，严重限制了需要大量系统实验的单细胞电学特性研究的开展。
中国科学院微电子研究所专利：一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置
中国科学院微电子研究所 专利 等离子体 浸没注入 中剂量检测
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置
中国科学院微电子研究所专利：一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳化硼 碳化硅 复合涂层
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种等离子体浸没离子注入系统
中国科学院微电子研究所 专利 等离子体 浸没离子 注入系统
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种等离子体浸没离子注入系统
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
中国科学院微电子研究所专利：可实现快速阻抗匹配的射频电源系统