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首次实现读写对称的自旋存内计算器件（图）
读写对称 自旋存内 计算器件
2023/2/23
基于电子自旋的磁随机存储器具有非易失性、超长耐久度、超快读写速度和超低功耗等优点，被视为是未来实现新型存储和计算的潜在技术之一。目前，磁随机存储器的构筑主要依赖于垂直磁各向异性的磁隧穿结单元。器件磁状态的写入依赖于自旋转移转矩或者外加磁场辅助的自旋轨道转矩，而器件磁状态的读取则需要利用隧穿磁电阻效应。这种不对称的读写方式以及外加磁场的辅助极大地限制了器件的功耗降低、级联与小型化。构筑新型的自旋电子...
受制于传统冯诺依曼架构下“存储墙”问题，芯片的算力难以进一步提升，限制了大数据以及人工智能等新兴信息技术产业的发展。存内计算是非冯诺依曼架构下提高芯片算力的一种有效途径，基于铁电晶体管（Fe-FET）的存算融合电路由于具有低功耗、高CMOS兼容性以及无损读出等优点，被认为是极具潜力的一种存内计算的技术方向。现已报道的Fe-FET存算电路多为单模机制。实现逻辑门电路往往需要多器件集成，或外围电路辅助...