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本发明涉及一种稀土上转换纳米荧光探针及其制备和应用,是由上转换荧光纳米粒子与Au纳米形成异质的功能性荧光纳米微粒;所述上转换荧光纳米粒子NaYF4:Yb3+/Er3+与Au它们之间的摩尔比例分别为5:1,10:1,15:1,20:1,在140℃条件下搅拌2.5h;所得微粒与上转换荧光纳米粒子相比较红色荧光增强,绿色荧光减弱。由于稀土上转换荧光纳米粒子光化学稳定性好,毒性低;并且用近红外激光器作为激...
一种荧光探针及其在动态检测硫醇中的应用涉及一类在硫醇存在下荧光发生增强,在氧化性物质存在下荧光又恢复原来状态的荧光探针。本发明提供了一种可用于选择性,动态检测细胞内硫醇的荧光探针。本发明采用吸收和发射具有一定重叠的荧光染料如荧光素、罗丹明等作为荧光母体,在荧光母体上引入二硒键结构作为与硫醇反应的活性中心,以实现选择性地检测硫醇;利用二硒化合物与硫醇的反应产物与活性氧如双氧水,次氯酸或过氧化亚硝酰等...
本发明涉及离子迁移谱技术的核心器件之一,离子迁移管,具体来说是一种电喷雾电离离子迁移管。该迁移管采用电喷雾离子源作为其样品离子化源,可以实现对液体样品的直接进样分析。该新型的离子迁移管克服了传统β放射离子源离子迁移管只能检测挥发性以及半挥发性样品的缺点,将离子迁移谱技术可检测的样品范围扩大到热不稳定性、非挥发性分析物以及生物大分子领域。
本发明设计了一种应用于离子迁移管的阵列式光电发射电离源,其特征在于:设计并采用阵列式的光电发射电离源,突破之前单个光电发射电离源的局限,一方面大幅度提高光强,能大大提高电离区电离的离子数,有效提高离子迁移管的灵敏度;另一方面使反应区电场更加均匀,提高离子利用率,从而提高离子迁移管的灵敏度。
相干性和隧穿效应在量子现象中扮演着重要角色。在隧穿事件中,粒子在势垒中所需的隧穿时间一直存在着争议。当涉及多粒子过程时,这个问题将变得更加复杂。当多粒子在势垒两侧来回隧穿时,其量子相干时间是值得研究的重要物理问题。
杭州电子科技大学机械工程学院2023年发明专利。
王梁,现任浙江工业大学激光先进制造研究院副院长,兼任中国热处理学会高能密度热处理技术委员会委员、中国光学学会激光加工专业委员会委员等职。自2006年至今一直从事激光增材技术方面的研究,发表SCI/EI学术论文20余篇。主持国家自然科学基金、浙江省省公益基金等科研项目,主研多项横向课题。参与国家重点研发计划、浙江省重大专项等。作为主要完成人,获得浙江省技术发明一等奖1项、中国机械工业科学技术一等奖1...
葛鸿浩,主持国家自然科学基金1项,在国内外期刊上发表学术论文10余篇,授权专利2项。主要研究方向:激光加工过程中材料的流动、传热和传质研究。
本发明涉及一种光电检测痕量二氧化氮的方法,该方法涉及的电阻式传感器是由陶瓷基底、固定电极、敏感材料、加热器及热电偶、信号处理器和光源组成,利用电阻式传感器的敏感材料的光电导效应,使用200-800nm波长范围的光照射敏感材料,通过敏感材料的电阻变化检测痕量二氧化氮,实现提高NO2检测限的同时降低工作温度。本方法不但可提高检测限(达到ppb级),同时可降低工作温度(室温至220℃)。
近日,柔性电子(未来技术)学院黄维院士、王建浦教授带领的研究团队在环境友好型钙钛矿发光二极管(LED)领域取得重大突破,在国际上首次利用一步旋涂法实现了大面积外延生长的高质量锡基钙钛矿薄膜,突破了传统外延方法在大面积器件制备方面的局限性,相关研究成果发表在《自然·纳米技术》(Nature Nanotechnology)上。
中国科学院沈阳自动化研究所专利:一种SICM的相位调制成像模式扫描装置和方法
本发明涉及一种利用催化-气敏机理光电检测三硝基甲苯的方法,该方法涉及的装置是由陶瓷基底、电极、催化-气敏材料、电源、电流表和光源组成,利用电流式传感器中的催化-气敏材料的催化性能与气敏性能,使用波长范围在200-800?nm之间的光照射催化-气敏材料,激发催化-气敏材料的电子,使得催化-气敏材料能将TNT蒸气分子降解为小分子,通过电流式传感器电流信号的改变实现对三硝基甲苯分子的检测,检测限达到2?...
与材料组成和结构一样,尺寸(维度和尺度)同样可以调控材料性能。例如,2010年和2023年的诺贝尔物理和化学奖分别授予二维材料和胶体量子点方面的开创性工作,凸显了材料维度和尺度的重要性。
阻变存储器(RRAM)因其高速、低功耗和可扩展性而被广泛用于实现边缘计算加速器。但由于RRAM存在保持特性退化的问题,导致基于RRAM芯片上的网络推理准确率随时间的增大而降低,从而限制了基于RRAM的边缘计算加速器的运算精度。
为解决现代计算系统中(如云计算和人工智能)的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题,一种结合新型非晶态氧化铟镓锌(IGZO)薄膜材料的无电容(2T0C)DRAM结构,有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前,大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操作速度,但现有IGZO TFTs器件普遍存在性能均一性及阈值调控难题,...

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