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晶界是化学气相沉积（CVD）方法制备的大面积石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界对石墨烯的电学和热学性质的影响对发展基于石墨烯的电子、光电和热电器件具有重要意义。尽管目前对于单个晶界对石墨烯性质影响的研究较多，但宏观尺度上晶粒尺寸对石墨烯电学和热学性质的影响尚不清楚。其主要原因是基于传统的析出（镍基体）或表面吸附生长（铜基体）机制的CVD生长方法无法在大范围内调控石墨烯的晶粒尺寸，制备晶粒尺寸...
国家纳米科学中心多孔石墨烯制备研究取得进展（图）
多孔石墨烯 石墨烯片层 物质传递 纳米级孔隙
2014/9/9
多孔石墨烯——片层具有纳米级孔隙，一般通过理论计算进行研究。石墨烯片层的孔隙有助于提高物质传递，在许多领域具有潜在的应用。迄今为止，多孔石墨烯的制备方法，包括通过芳基-芳基偶联反应的自下而上的化学方法和由高能量的技术方法，一般都是在基底上以有限的产率制备得到。
中国科学院金属研究所提出氧化石墨烯薄膜的化学还原新方法（图）
中国科学院金属研究所 氧化石墨烯薄膜 化学还原新方法
2010/12/29
自2004年被发现以来，石墨烯（Graphene）由于结构独特、性能优异、理论研究价值高、应用前景广阔而备受关注。氧化石墨烯（GO）是含有丰富含氧官能团的石墨烯衍生物，可通过化学氧化剥离廉价的石墨而得，随后通过还原处理可制成石墨烯。因此，利用GO再经还原制备石墨烯已成为低成本、宏量制备石墨烯的一个重要途径，对促进石墨烯的宏量应用具有重大意义。作为石墨烯重要应用之一，石墨烯透明导电膜以其资源丰富、良...