搜索结果: 1-15 共查到“知识库 工学 SiC”相关记录342条 . 查询时间(0.177 秒)
随着功率模块朝着高温、高功率、高密度方向发展,这对模块的封装结构提出了新的要求。较传统的引线键合结构,双面散热结构由于具有高散热能力和低寄生电感等特点受到广泛关注。但是双面散热结构材料间热膨胀系数的差异使之承受较大的热-机械应力,降低了功率模块的可靠性。因此,为设计具有低热-机械应力双面散热双向开关,本研究首先使用仿真分析了芯片布局对模块散热性能以及寄生电感的影响,在此基础上提出了一种具有低杨氏模...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
随着可再生能源的快速发展，储能变流器在新能源电网中发挥着至关重要的作用。本文针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元，其中包含10 kV高压交流模块和750 V低压直流模块，重点研究了功率单元的低感设计和散热设计方法，并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构，将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH，有效减小功率单元的关断过电压。通过热仿真研究，...
SiC MOSFET工作频率高,温度稳定性好,应用于三电平Buck变换器中可以减小系统损耗,提高系统效率,但SiC MOSFET的高频特性会使其开关过程中的电压尖峰更为严重。针对该问题,分析了三电平Buck电路SiC MOSFET开关过程及瞬态电压尖峰产生机理;在传统的充放电型RCD吸收电路的基础上加以优化改进,设计了一种低损耗型RCD吸收电路作为电压尖峰抑制方法。
超级电容储能系统的促进功率响应能力优势是改善分布式发电电源的电能输出效率的有效方式,为此利用SiC器件设计SiC MOSFET典型等效开关模型,并将其应用到超级电容储能系统中,进一步提升系统单位能量的传输能力。基于超级电容器工作原理,建立超级电容储能系统数学模型,有效分析基于超级电容储能的SiC器件变流器性能。
10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现
碳化硅 绝缘栅双极晶体管 五区多重场限环 击穿电压
2024/3/12
提出采用五区多重场限环FRM-FLRs（five-region multistep field limiting rings）终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT（silicon carbide insulated gate bipolar transistor）终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs（equall...
SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应,在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度,因此对SiC超结MOSFET可靠性的分析研究有助于深入理解器件工作机理,为更好地应用提供必要的理论支撑。基于TCAD Sentaurus模拟软件,对1 200 V电压等级的传统SiC MOSFET结构和SiC超结MOSFET结构进行建模。首先对比了2种器件的基本电学参数,然后重点分析了短路特性...
SiC器件作为宽禁带半导体器件代表，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、高电压、高频率和高抗辐照等优越的物理和电气特性，在卫星电源系统中具有巨大的应用潜力。介绍了卫星电源系统发展的现状与趋势，论述了当前国际宇航研究机构对SiC功率器件在卫星电推进系统中应用的研究，并提出SiC器件在卫星中应用的单粒子需求趋势。分析认为SiC功率器件今后的研究重点在于单粒子失效机理的研究、辐照加固工艺完善以...
以可膨胀石墨作为原材料，通过高温膨化和机械砂磨得到石墨薄片，再以石墨薄片作为模板合成了不同比表面积的碳化硅纳米片(SiCNSs)。探究了比表面积对SiCNSs光催化制氢性能的影响。结果表明，SiCNSs的比表面积对其产氢性能影响显著，提高光催化剂的比表面积有利于增强其产氢活性。SiCNSs的最大比表面积可达149m2·g-1，其光解水产氢速率为51.0μL·g-1·h-1。在对石墨薄片和SiCNS...
为解决陶瓷基复合材料在服役环境中由于弯曲而导致失效的问题,从理论上分析了经向和纬向弯曲过程中复合材料弯曲受力与内部纤维之间的相互作用机制。以SiCf/SiC复合材料为例,利用微计算机断层扫描技术获得其内部纤维结构和孔隙等三维图像;并在此基础上,分别对三维机织角联锁SiCf/SiC复合材料经向和纬向进行弯曲性能测试,从细观、微观尺度分析弯曲损伤机制。结果表明:三维机织角联锁SiCf/SiC复合材料的...
为了改善SiC陶瓷磨削过程中砂轮磨损状态，提高大口径SiC陶瓷光学元件的加工质量和加工效率，本文使用ELID磨削技术进行了SiC陶瓷磨削加工实验。通过和普通磨削过程进行对比分析，研究了ELID磨削技术在SiC陶瓷磨削过程中砂轮磨削表面情况、工件磨削表面粗糙度、磨削力及磨削比方面的优势。实验结果显示：使用ELID磨削技术可以使砂轮表面磨粒在SiC陶瓷长时间大去除量磨削过程中保持足够的锋锐度，磨削过程...
为了改善SiC陶瓷磨削过程中砂轮磨损状态，提高大口径SiC陶瓷光学元件的加工质量和加工效率，本文使用ELID磨削技术进行了SiC陶瓷磨削加工实验。通过和普通磨削过程进行对比分析，研究了ELID磨削技术在SiC陶瓷磨削过程中砂轮磨削表面情况、工件磨削表面粗糙度、磨削力及磨削比方面的优势。实验结果显示：使用ELID磨削技术可以使砂轮表面磨粒在SiC陶瓷长时间大去除量磨削过程中保持足够的锋锐度，磨削过程...
研究了基于电火花机械复合磨削技术加工的反应烧结碳化硅（RB-SiC）陶瓷的表面特征。用电火花机械复合磨削（EDDG）、电火花磨削（EDG）以及普通磨削（CG）三种方法加工RB-SiC陶瓷，并采用激光共聚焦显微镜和扫描电子显微镜对加工后的SiC陶瓷的表面粗糙度、表面形貌及微观裂纹进行测量和对比试验，获得了RB-SiC陶瓷的EDDG加工特性。实验显示：EDDG加工的RB-SiC陶瓷的表面粗糙度优于ED...