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本发明涉及一种能够精确标定金属及半导体薄膜材料光学常数的方法。该方法适用于任何工艺制备的薄膜态金属和半导体材料，其流程如下：厚度为15-100nm薄膜样品制备；X射线全反射谱法精确标定厚度；透射率谱线及反射率谱线的测试；图形法求解光学常数。本方法与传统的光谱直接分析方法相比，能够解决金属及半导体薄膜厚度精确求解的问题，减少因厚度无法准确标定带来的误差，简化了求解过程，提高了光学常数求解的精度和速度...
本发明涉及一种使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备，其包含由纳米金属氧化物半导体材料、表面覆盖的半导体敏化剂薄膜组成的光阳极、可以发生氧化及还原反应的电解质以及对电极组成，光阳极与对电极使用热封膜隔开，中间注入电解质。其中，光阳极与电解质接触的界面处电解质发生氧化反应，对电极与电解质接触的界面处电解质发生还原反应。特点是光阳极采用n型宽带隙半导体材料，使用原子层沉积技术在宽带隙半导体材料...
中国科学院化学所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略（图）
化学所 高性能原子 二维半导体 薄膜
2022/11/11
二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大规模的打印二维...
最新半导体薄膜仅为三个原子厚（图）
半导体薄膜 三个原子厚
2015/5/15
美国科学家首次制造出厚度仅为三个原子的二硫化钼半导体薄膜，其不仅身材纤细，而且拥有优异的电学属性，可广泛用来制造各种超薄的电子设备。该研究的领导者、康奈尔大学化学和化学生物学助理教授吉沃格·帕克说：“新得到的二硫化钼半导体薄膜的电学性能可与二硫化钼单晶体相媲美，但我们得到的并非纤薄的晶体，而是4英寸的晶片（晶体上按一定方位角切下的薄片）。”
据物理学家组织网近日报道，美国莱斯大学和橡树岭国家实验室（ORNL）的科学家合作开发出一种新方法，可以控制二硫化钼（MDS）原子层整齐一致地生长，借此朝制造二维电子设备前进了一步。相关研究发表在本周出版的《自然·材料学》杂志上。
304L不锈钢在ZnSO4和Na2SO4两种高温高压水溶液中腐蚀后表面形成一层钝化膜，对腐蚀后样品在硼酸缓冲溶液（pH8.4）中进行动电位扫描，并绘制其Mott-Schottky（M-S）曲线；利用光电流法，绘制（Iphh\nu/I0）1/2-光子能量曲线，详细分析表面钝化膜半导体性质。结果表明：含锌样品表面钝化膜呈现多层结构；钝化膜的半导体类型为n型（不含锌样品钝化膜呈p型）；平带电位负移；载流...
美国科学家设计出硅半导体膜
硅半导体膜 硅薄膜
2007/7/18
科技日报2007年7月18日报道 美国伊利诺斯大学研究人员表示，他们设计出一种硅半导体膜，同生物膜相比，半导体膜更富有弹性，并具有更佳的电性能。同时，他们认为，新设计的利用掺杂不同的硅层获得的固体膜具有广泛的应用前景，其中包括单分子探测、蛋白质过滤和DNA测序。