搜索结果: 1-13 共查到“材料科学 存储材料”相关记录13条 . 查询时间(0.115 秒)
西安交通大学学子在相变存储材料设计领域取得进展（图）
西安交通大学 相变存储材料设计 金属材料
2019/8/7
人工智能、大数据等新兴技术的蓬勃发展对现有的计算设备性能提出极大挑战。近十多年来，科学界与工业界一直致力于发展第三类存储器技术，以期在同一单元中实现数据的快速读写及稳定存储，应对数据存储与处理方面的巨大压力。基于硫族化物的相变存储器经过二十余年的科研发展，已逐步实现工业化生产，并于近期投入市场，例如英特尔“傲腾”芯片等。领域内的研究重点落在如何进一步提升相变存储的读写速度上。西安交通大学金属材料强...
2019年6月14日，深圳大学材料学院饶峰教授在Science发表论文，题为Catching structural transitions in liquids.Raoet al.,Science364, 1032–1033(2019).论文链接：https://science.sciencemag.org/content/364/6445/1032。相变随机动态存储器（Phase-change ...
大数据时代的到来，全球信息量爆炸式增长，海量数据需要进行有效地处理和存储，因此对信息存储器提出了低功耗、小型化、高容量和高功能密度等诸多要求，从而迫切需要开发基于新结构、新原理和新材料的新型存储器。阻变存储器因其具有非易失性、结构简单、低功耗、超高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新型存储技术之一。本课题组主要开展在阻变存储器中纳米导电通道和界面结构的可控构建、有效调控及其功能化等工作，...
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现（图）
高速低功耗 钪锑碲 相变 存储材料
2017/11/10
中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司，选择以嵌入式相变存储器（PCRAM）为切入点，在国家重点研发计划纳米科技重点专项、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项、国家自然科学基金、中科院A类战略性先导科技专项、上海市领军人才、上海市科委等项目的资助下，经过十余年的研究，在存储材料筛选、嵌入式器件设计、PCRAM的基础制造技术取得系列重要科技进展。近...
2017年10月17日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在微电子所召开。科技部高技术研发中心材料处处长史冬梅、主管杨斌，微电子所所长叶甜春，中科院院士、微电子重点实验室主任刘明，项目责任专家邓涛教授，项目咨询专家周彬教授、石瑛教授、潘峰教授、徐晨教授、宋志棠研究员以及项目组科研骨干参加会议。
国家重点研发计划“高通量自动流程材料集成计算算法与软件及其在先进存储材料中的应用”项目启动会在北京航空航天大学召开
高通量 自动流程 材料集成 计算算法 软件 先进存储材料 项目启动会
2017/10/26
2017年9月27日，国家重点研发计划材料基因工程关键技术与支撑平台重点专项项目“高通量自动流程材料集成计算算法与软件及其在先进存储材料中的应用”项目启动会在北航召开。该项目由我校牵头，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院计算机网络信息中心、华中科技大学、中国科学院微电子研究所、中南大学以及福州大学六个单位共同参与。启动会上，王荣桥院长致欢迎辞，对上级管理部门给予的大力支持表示衷心感...
征文主题：二次电池（镍氢电池、锂离子电池、钠/镁离子电池、锂硫电池、锂空气电池等）、燃料电池（质子交换膜、固体氧化物等）、储氢材料、储能材料、超级电容器。
华中科技大学物理学院吴梦昊在二维信息存储材料研究获重要进展
二维信息存储材料 金属材料
2016/5/4
2016年4月26日，纳米学权威期刊《纳米快报》（Nano Letters）在线刊发了物理学院凝聚态物理研究所吴梦昊教授为第一作者和共同通讯作者的研究论文《二维磷烯及磷烯类似物中的本征铁弹性与多铁性》（Intrinsic Ferroelasticity and/or Multiferroicity in Two-Dimensional Phosphorene and Phosphorene Ana...
柔性磁电功能材料与器件团队研究方向：多功能阻变信息存储材料与器件（图）
信息存储材料 存储器件 存储器
2023/3/27
存储器是现代信息技术的核心和基石之一。开发基于新原理、新结构、新材料的新型高性能存储器，有利于信息技术的发展和进步。阻变存储器（RRAM）是基于电致阻变效应而提出的一种新型存储技术，其工作核心是通过器件电阻状态的精准调控实现信息的编码与存储。我们一直围绕阻变存储器中纳米导电通道和界面结构的可控构建与有效调控等关键和共性基础科学问题开展工作，重点致力于利用电、光、磁、力等多物理场对器件电阻状态进行精...
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
新材料领域 “相变随机存储器存储材料及关键技术” 验收
2011/12/26
2011年12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题组长、上海微系统所所长助理宋志棠研究员，以及课题组主要成员共计20余人参加了此次会议。
电子俘获光存储材料BaLiF3:Eu2+的光激励发光及光存储性质研究
电子俘获 光激励发光 光存储
2009/10/29
利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3:Eu2+ 样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410 nm处，属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660 nm，因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能，结果表明BaLiF3:Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性，是一类很有发展前途的电子俘获...
中国科学院生物物理研究所科学家在纳米信息存储材料领域再获突破
纳米
2008/1/18
《美国化学学会会志》发表我国纳米信息材料研究新进展
近日，中科院物理所和化学所的科研人员在Rotaxane类分子的结构与电导转变及其在超高密度信息存储中的应用研究方面再获突破。在此前工作的基础上成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储，近期出版的《美国化学学会会志》发表了这一结果。这是目前为止该类分子结构与电导转变的最直接证据...
我科学家在纳米信息存储材料领域再获突破
Rotaxane类分子 分子电子学 纳米信息
2007/4/27
中国科学院物理研究所2007年4月26日消息 近日，该所和化学所的科研人员在Rotaxane类分子的结构与电导转变及其在超高密度信息存储中的应用研究方面再获突破。在此前工作的基础上成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储，近期出版的《美国化学学会会志》发表了这一结果。这是目前为止该类分子结构与电导转变的最直接证据，对Rotaxan...