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中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法
中国科学院金属研究所 专利 刻蚀基板法 外延定向生长 氮化物 纳米片网络
2023/12/27
一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法,采用刻蚀Si 基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格,首先用 含1-5％的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min,然后去除表面的氧化硅薄膜,用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区,刻蚀后的Si片 作沉积基板放在出气端,用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米 片。这种Si基板自生模板,与常规氧化铝多孔模板相...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钼基氮化物复合硬质薄膜及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钼基 氮化物 复合硬质薄膜
2023/11/27
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钼基氮化物复合硬质薄膜及其制备方法