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中国科学院金属研究所专利：一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低温装置
中国科学院金属研究所 专利 薄膜 热膨胀测量 低温装置
2023/12/21
本实用新型涉及用于薄膜非接触热膨胀测量技术,具体为一种用于薄膜非接 触热膨胀测量的低能耗低温装置(-130℃～250℃)。该装置设有低温-高温炉系统、 试样架系统,低温-高温炉系统采用两级真空双层结构,置于低温-高温炉系统中 的加热器采用锥型-沟槽型结构,置于加热器中的试样架系统采用弹性夹持结构。 本实用新型用非接触方法测量薄膜热膨胀的低能耗,将温度范围扩展到低温,低 温装置在1.5小时内使试样降...