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科研人员利用次级束装置研究电子俘获致核激发现象(图)
次级束装置 电子俘获 核激发
2022/9/14
近日,中国科学院近代物理研究所的科研人员发现,美国科学家发现的首例电子俘获核激发(NEEC)现象,因受复杂γ本底影响,测量的激发几率可能被显著高估。该研究推荐利用次级束流装置在低γ本底环境下获得更可靠的实验结果。相关研究于6月2日发表在《Nature》的“Matters Arising”栏目上。
星体环境下的电子俘获速率研究获进展(图)
星体环境 电子俘获速率 物理输入量
2020/3/24
近日,来自中国科学院近代物理研究所、美国密歇根州立大学等机构的科学家们利用电荷交换反应,研究了丰中子核素附近的原子核93Nb的电子俘获速率并取得进展。一些大质量恒星演化到最后阶段时,会通过超新星爆发的方式结束自己的生命。超新星爆发是宇宙中最高能、最为神秘的天体活动之一。在对超新星爆发的模拟过程中,电子俘获速率是其中一个非常重要的物理输入量。
自2010年钟鸿英教授在实验中观察到激光场和静电场中纳米半导体材料表面的隧道电离现象(Anal. Chim. Acta,2012)以来,她率领的研究团队开展了一系列相关基础理论和实验方法研究。理论研究发现,紫外激光(Nd3+:YAG第三谐波 355 nm)照射的氧化锌及铋钴掺杂氧化锌等半导体材料表面,中性样品分子俘获低能光电子是一个可自发进行的放热反应,因此避免了高能电子束轰击所引发的振动激活及非...
电子俘获光存储材料BaLiF3:Eu2+的光激励发光及光存储性质研究
电子俘获 光激励发光 光存储
2009/10/29
利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3:Eu2+ 样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410 nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660 nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3:Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获...
在ECPSSR理论的基础上, 利用OBKN近似描述电子俘获过程, 得到了包括电子俘获过程贡献的ECPSSR理论, 编写了相应的计算程序。 采用该程序计算了不同电荷态离子与多种靶原子碰撞的电子俘获截面和相应的X 射线产生截面, 将计算得到的包含电子俘获过程贡献的X 射线产生截面与实验结果进行了比较。 对于具有满K壳层的入射离子碰撞, X 射线产生截面与入射离子电荷态基本无关; 对于以直接电离为主导的...
太阳核心中7Be电子俘获几率的计算
7Be俘获电子几率 7Be中微子标准太阳模型 复合速率系数 复合截面
2009/5/22
在太阳核心的条件下,7Be原子被完全电离.所以,重新计算的7Be和8B太阳中微子流强分别约为4.00×109cm-2·s-1和6.18×106cm-2·s-1,而标准太阳模型预言的7Be和8B太阳中微子流强则分别是4.80×109cm-2·s-1和5.15×106cm-2·s-1.这将进一步增大在Super Kamiokande太阳中微子实验上中微子流强的实验测量值与理论预计值之间的差异.
电子碰撞激发机制中自电离与双电子俘获
自电离与双电子俘获 双电子复合 类Ne-Ge离子碰撞机制
2009/2/18
以Ge为例,研究了双电子复合代替自电离与双电子俘获对离子布居的影响;通过解包括双激发态和自电离与双电子俘获过程的速率方程组,研究了类F离子与类Ne离子基态对19.6nm与23.6nm激光线上、下能级的布居贡献因子及类Na离子与类Ne离子的电离速率,并讨论了这两条激光线的反转与增益。
电子俘获核素~(57)Co的绝对测量方法
4πβ高压正比计数器 电子俘获核素 效率外推法
2008/12/18
介绍了在4π高气压正比计数器与碘化钠闪烁计数器符合装置上测量电子俘获核素 ̄(57)Co的效率外推法。测定了不同充气压力和不同工作电压对测量结果的影响。衰变率的合成不确定度为0.4%。这一方法也可用于具有类似衰变图的低Z电子俘获核素的测量。
电子俘获核素~(65)Zn的绝对测量方法
4πβ(ppc)-γ符合法 高气压正比计数器 气压坪曲线 ~(65)zn 电子俘获
2008/12/18
讨论了在4πβ(ppc)-γ符合装置上测定电子俘获并伴有跃迁到基态的正电子分支的核素 ̄(65)Zn的几种测量方法,以及这些方法所需的修正和可能的误差来源。对各种方法的优缺点进行了评价和实验验证。测得的衰变率在0.3%内一致。
双死时间方法测量电子俘获核素 ~(54)Mn 的活度
液体闪烁计数 符合测量 双死时间方法 ~(54)Mn
2008/12/18
双死时间方法是国际上90年代提出的1种新的符合方法,与常规符合方法相比,它没有符合线路,计算简单,测量结果有比较好的精度。本工作首次将它用到液闪测量,取得了比较好的结果。
电子俘获材料CaS∶Eu,Sm光谱特性研究
电子俘获材料 吸收光谱 红外激励光谱
2008/3/16
研究了电子俘获材料CaS∶Eu,Sm多晶粉末的紫外-可见-红外吸收光谱及红外激励光谱.研究结果表明,CaS∶Eu,Sm中主激活剂Eu和辅助激活剂Sm分别以Eu2+离子和Sm3+离子的形式存在;ETM的吸收差谱及红外激励光谱所反映的光谱特性是不同的.紫外-可见光区的吸收差谱给出了ETM光谱存储灵敏度的信息,而红外光谱区的吸收差谱给出了ETM所俘获电子数量的信息及电子陷阱能级的特征(深度和宽度)信息....
电子俘获材料CaS:Eu,Sm光谱特性研究
2007/12/18
研究了电子俘获材料CaS:Eu,Sm多晶粉末的紫外-可见-红外吸收光谱及红外激励光谱。研究结果表明,CaS:Eu,Sm中主激活剂Eu和辅助激活剂Sm分别以Eu2+离子和Sm3+离子的形式存在;ETM中的陷阱处于饱和与倒空两种状态下的吸收光谱之差-吸收差谱及红外激励光谱所反映的光谱特性是不同的。紫外-可见光区的吸收差谱反映倒空样品中电子陷阱对光的吸收特性,给出了ETM的光谱存储灵敏度的信息。而红外光...