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据美国每日科学网2011年7月12日（北京时间）报道，美国加州大学河滨分校的研究人员日前报告说，他们发现了一种可在低温下生成电子偶素的新方法。对电子偶素的研究有助于揭示出反物质的更多属性，以及在宇宙生成时大自然为何青睐物质而非反物质之谜。相关论文发表在2011年7月15日出版的《物理评论快报》（PRL）上。
电子偶素在气凝硅胶中的能量损失过程及对湮没率的影响
湮没率 气凝硅胶 电子偶素
2009/5/21
用正电子湮联合谱仪研究电子偶素在气凝硅胶中的慢化过程.结果表明,三重态电子偶素(o-Ps)因非弹性碰撞从动能～1eV迅速跌落到0.25eV,然后通过连续的与气凝硅胶的SiO2原子团弹性碰撞而缓慢热化.观察到电子偶素速度越大时其湮没速率也越大,推测这一效应是以往有关测量o-Ps衰变率的精密实验中尚未被察觉的主要系统误差源.
反质子与电子偶素碰撞而形成反氢原子的探讨
反氢原子 电子偶素 反质子
2009/5/21
本文从理论上讨论了反质子与电子偶素碰撞而形成反氢原子的一些特点,进而分析了在实验室中制备反氢原子的可能性.
氧分子对电子偶素的态转换
态转换 电子偶素 氧分子
2009/5/21
把气凝硅胶作为可变能量的电子偶素源,用时间选择γ能谱仪研究电子偶素在氧气中的运动,验证快速电子偶素与氧分子非弹性碰撞发生的态的转换效应,测得在两个阈能附近的截面为2.1×10－17cm2和6.6×10－18cm2.研究慢速电子偶素与氧分子弹性碰撞交换电子所致态转换,发现过程的截面与电子偶素平均速度的平方根成反比,这一过程可以提供比较干净的仲态电子偶素源进行其它精密物理实验.
正态电子偶素衰变率的实验研究
偶素衰变率 正态电子
2009/5/21
本文提出用外推N2γ/N3γ→0的方法测正态电子偶素的真空衰率λ0,初步结果得到λ0=7.034±0.013μs－1,讨论了进一步改进实验的可能性.
正电子偶素三光子衰变的光子角分布
三光子 正电子偶素 衰变
2009/5/21
用22Na和气凝硅胶构成的电子偶素源及三重符合的NaI(T1)计数器,测量了正电子偶素三光子衰变.在末态两个光子对第三光子的夹角为对称的几何条件下,测量了大角度区域的光子角分布.连同已有的小角度区域测量数据,给出了完整的光子角分布曲线.实验曲线与理论预期值符合得很好.
仲态电子偶素湮没辐射能量的测量
辐射能量 偶素 仲态电子
2009/5/11
利用充氧气的气凝硅胶电子偶素源,用与已知的106Ru γ射线能量511856.2(2.3)eV相比较的方法,测得仲态电子偶素湮没2γ射线的能量为510998.7(2.5)eV将此数值(经结合能修正)与电子静止质量所对应的能量(mec2)进行了比较.
仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量
正电子湮没 电子偶素 γ能量
2008/1/26
用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用192Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.