搜索结果: 1-10 共查到“丁氧基”相关记录10条 . 查询时间(1.671 秒)
采用原位脱氯化氢缩合聚合法制备了聚(2-甲氧基-5-丁氧基)对苯乙炔/氧化铕(PMOBOPV/Eu2O3)纳米复合材料. 傅里叶变换红外(FT-IR)光谱证实了在Eu2O3表面的包覆层为PMOBOPV. 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察发现, PMOBOPV/Eu2O3纳米复合材料具有核-壳结构, 直径为75-145 nm, 其中PMOBOPV包覆层厚度约为25 nm. 紫外-可见(UV-V...
以S-苹果酸作为手性诱导试剂, 通过Staudinger反应, 合成了8个具有光学活性的新型的β-内酰胺衍生物, 通过1H NMR, IR谱和元素分析对其结构进行了表征, 用1H NMR, 2D NMR谱和单晶X射线衍射法研究了该反应的立体选择性. 结果表明, S-苹果酰亚胺乙酰氯(三乙胺存在下)与Schiff碱的反应具有高度的顺反异构选择性, 反式β-内酰胺是唯一产物; 该反应的非对应异构选择性...
年产五吨纳米材料用“四正丁氧基锆”项目
四正丁氧基锆 纳米材料 工业生产
2008/11/18
四正丁氧基锆为烟台市化学工业研究所应佳隆（烟台）实业有限公司电子材料场的使用要求而研究开发的高科术产品。由该材料加工制造的纳米级超细二氧化锆薄膜，在电子屏幕及各类显示器的防眩光、防辐射、防静电等许多方面有不可替代的特殊功能；该类化合物在我国一直没有开发研究及生产，1999年我所经研究试验，建成了年产五吨的生产装置，产品质量达到日本进口产品水平，填补国内空白。生产工艺分为炭化、氯化、合成、精制...
摘要 用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的一代树状碳硅 烷（D1）。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、 偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征。D1为向列相与 M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D1相行为：K82N133I132N67K，D1熔点 比M5降低30－43℃，D1清亮点比M5增加9－11℃，D1介晶相...
摘要 研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1...
三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元
光致变色液晶树状物 光电信息存储材料 反-顺光异构化 光回复异构 热回复异构 活化能 异构转换率
2007/12/23
摘要 报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc, 热回复异构化反应速率常数kH, 光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10－1 s－1, 而含偶氮基元的光致...
摘要 用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D...
摘要 合成7α,18-二甲基-19-去甲基-甾体物的关键中间体10a是通过从3a与4的缩合物5经氢化、环合、再氢化而得到,同样地可获得7β,18-二甲基雌甾二醇衍生物10b即:6→7b→9b→10b。