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中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种利用准分子激光提高柔性AZO薄膜光电性能的方法
薄膜厚度对射频磁控溅射β-Ga2O3薄膜光电性能的影响
β-Ga2O3薄膜 日盲紫外探测器 薄膜厚度 光电探测性能
2022/3/11
本文在室温下利用射频磁控溅射技术在(001)蓝宝石衬底上制备了不同厚度的β-Ga2O3薄膜，随后将其置于氩气气氛中800℃退火1h。利用XRD，SEM，UV-Vis分光光度计、PL光致发光光谱仪和Keithley4200-SCS半导体表征系统等考察薄膜厚度对所得氧化镓薄膜相组成、表面形貌、光学性能以及光电探测性能的影响。结果表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜结晶质量提高，840nm薄膜最佳，1050n...
中国科学院国家纳米科学中心在钙钛矿-氧化锌异质结的光电性能研究方面取得重要进展（图）
钙钛矿 氧化锌 异质结 光电性能
2021/3/29
近日，国家纳米科学中心孙连峰课题组与谢黎明课题组合作，设计制备了一种三维钙钛矿-一维氧化锌（CsPbBr3-ZnO）p-n异质结。这种异质结表现出了优异的整流特性（整流比~106）。作为光电探测器，它覆盖了紫外到可见光波段。在254 nm的光照下可获得高的光电开关比（107）、响应度（3.5×103 A / W）、检测率（6.59×1014 Jones）和外量子效率（1.7×106 ％）。在473...
广州大学物理与材料科学学院在过渡金属氧化物材料光电性能研究方面取得进展（图）
过渡金属 氧化物材料 光电性能
2021/4/15
氧化铬（Cr2O3）薄膜是一种过渡金属氧化物半导体，在串联太阳能电池电极、太阳能电解水的阴极材料方面得到广泛的研究。此外，氧化铬凭借其硬度高、热稳定性强等特性，被广泛用于太阳能集热器的表面材料。然而，氧化铬薄膜普遍存在电阻率高（近绝缘体），光电响应弱等问题，制约了其在光电功能材料方面的用途。
近日，我所薄膜硅太阳电池研究组（DNL1606）刘生忠研究员团队与陕西师范大学田庆文教授、王康博士等合作，在无机CsPbI3太阳电池研究方面取得新进展，研发出具有椅式能带结构的无机太阳电池。无机CsPbI3材料因其高热稳定性、化学稳定性，以及优异的光电性能，在太阳电池领域具有广阔的应用前景。但是由于CsPbI3薄膜界面与本体的载流子复合会导致能量损失，从而限制该类太阳电池光电性能的提升。此外，Cs...
有机电致发光(OLED)是新一代显示技术，目前在手机、电视等领域已经得到了广泛的应用。作为其核心的发光材料，目前商用的绿光和红光材料都是铱配合物。但是铱配合物的合成条件比较苛刻，需要在100 oC以上长时间加热，然后进行纯化，真空升华率也受到限制。如果能够实现配合物的室温快速和高效合成，并提高其升华率，将大大降低材料和器件的生产成本，促进其产业化进程。近期，郑佑轩和左景林研究团队把S原子引入到配体...
烷胺基结构对钙钛矿材料光电性能及稳定性的影响
钙钛矿 烷胺基 光电性能 稳定性
2018/11/20
以不同烷烃链长和胺基数的有机物为原料，采用溶液法合成系列具有不同烷胺基结构的钙钛矿材料，研究烷胺基结构对钙钛矿材料光电性能和稳定性的影响；以二氨基丙胺铅碘（CH2）3（NH3）2PbI4为光吸收层制备钙钛矿太阳电池，探索钙钛矿材料在光伏领域的应用。结果表明：烷烃链长和胺基数均直接影响钙钛矿材料的带隙宽度，随着烷烃链的增长带隙变大，随着胺基数的增加带隙急剧变小；由1，3-二氨基丙烷为前驱物合成的（C...
Mg含量对N掺杂MgZnO薄膜的光电性能和N掺杂行为的影响
MgZnO薄膜 N掺杂 掺杂浓度 光电性能
2014/6/10
利用射频磁控溅射技术，在相同流量的氮气、氩气混合气体条件下，在石英基片上溅射获得了不同Mg含量的N掺杂MgxZn1-xO薄膜，并研究了Mg含量对N的掺杂行为和薄膜光电性能的影响。结果显示，在N掺杂MgxZn1-xO薄膜中，随着Mg含量的增加，薄膜的电阻率增加，载流子浓度下降；X射线电子能谱中位于395eV左右的N1s峰强逐渐减弱、甚至消失；Raman光谱中与受主NO相关的位于272cm-1、642...
结合亚单层的有机发光技术, 制备了一种多层有机电致发光器件,其结构为ITO/ m-MTDATA (50 nm) / C545T (0.05nm) /DPVBi (d nm)/DCM2(0.05nm)/ Alq (60nm) /LiF(1nm) /Al.荧光材料C545T和DCM2以亚单层的方式插入DPVBi前后,通过改变DPVBi的厚度,观察器件性能的变化,当DPVBi为4 nm时,器件在4V电压...
结合亚单层的有机发光技术, 制备了一种多层有机电致发光器件,其结构为ITO/ m-MTDATA (50 nm) / C545T (0.05nm) /DPVBi (d nm)/DCM2(0.05nm)/ Alq (60nm) /LiF(1nm) /Al.荧光材料C545T和DCM2以亚单层的方式插入DPVBi前后,通过改变DPVBi的厚度,观察器件性能的变化,当DPVBi为4 nm时,器件在4V电压...
柔版印刷金属网栅光电性能研究
薄膜 金属网栅 电磁屏蔽 透明导电膜
2016/9/2
为满足日渐增加的电磁屏蔽要求，设计了一种透明基材上柔版印刷电磁屏蔽用金属网栅，研究了影响金属网栅透光率与电磁屏蔽特性的主要因素。首先从理论分析入手，计算并分析金属网栅结构参数（线宽、周期、占空比）等对透明导电金属网栅透光率及电磁屏蔽效能的影响；接下来利用柔版印刷方式制备周期为300、400 μｍ线宽为20、30、40 μｍ的金属网栅，测试了在7、10、13 GHz3个频点处电磁屏蔽效能以及300~...
OLED器件光电性能集成测试系统研制
有机发光器件 集成系统 器件测试
2014/3/21
为方便对OLED器件的各项性能进行测试,研发了一种OLED器件光电性能集成测试系统,实现了在同一个软件下的OLED器件的电压、电流、亮度、光谱、色坐标和寿命等特性的集成测试。介绍了计算机与各测试设备的通信方法,通过计算机控制测量仪器对OLED器件进行测量。使用了Microsoft Visual 2005开发工具,利用MFC(Microsoft Foundation Classes)开发出了图形用户...
HgCdTe甚长波红外光伏器件的光电性能
碲镉汞 甚长波 I-V曲线 变面积
2016/8/30
甚长波指的是波长大于14 μm的波段，该波段富含大量的信息，包括大气中的湿度和CO2的含量，以及云层的结构和温度的轮廓，这些对大气遥感探测是必须的。采用在CdZnTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成平面结，制成了在液氮温度下，截止波长达到14 μm的单元变面积结构和小的焦平面器件。测试结果显示，甚长波器件有反向的开启现象，可能是甚长波器件表面发生反型造成的。单元变面积器件...
氧氩比对SnO2/Ag/SnO2透明导电膜光电性能的影响
磁控溅射 SnO2/Ag/SnO2 氧氩比 透明导电薄膜
2012/12/13
在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1:14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2 Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5 Ω·cm,方电阻为9.68 Ω/s...