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本发明涉及一种能够精确标定金属及半导体薄膜材料光学常数的方法。该方法适用于任何工艺制备的薄膜态金属和半导体材料，其流程如下：厚度为15-100nm薄膜样品制备；X射线全反射谱法精确标定厚度；透射率谱线及反射率谱线的测试；图形法求解光学常数。本方法与传统的光谱直接分析方法相比，能够解决金属及半导体薄膜厚度精确求解的问题，减少因厚度无法准确标定带来的误差，简化了求解过程，提高了光学常数求解的精度和速度...
溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响
溅射功率 Ge2Sb2Te5薄膜 光学常数
2007/10/26
文章摘要：
研究了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数与波长关系的影响,结果表明, 在波长小于500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数k则逐渐减小; 在波长大于500nm的情况下,随溅射功率的增加折射率n逐渐减少, 消光系数$k$先减小后增加.对于晶态薄膜样品, 在整个波长范围折射率n随溅射功率的增加先减小后增加...