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中国科学院微电子研究所专利：化学机械抛光模拟方法及其去除率计算方法
超声椭圆振动辅助化学机械抛光光纤端面的材料去除机理研究
超声椭圆振动 化学机械抛光 材料去除机理 光纤端面
2016/12/1
为了描述超声振动辅助化学机械抛光光纤端面过程中材料的去除机理，建立了超声振动辅助化学机械抛光过程中光纤材料去除模型。根据实验观察的抛光垫的表面形貌合理地建立抛光垫表面形貌的数学模型；接着，分析抛光过程中的两体三体接触的抛光粒子数目；分析不同方向的超声振动在化学机械抛光过程中去除光纤材料的机理，综合考虑抛光粒子及工件的材料特性、超声振动特性，分别建立了不同工艺下的材料去除模型；对比光纤端面的超声振动...
冰洲石晶体化学机械抛光（CMP）工艺参数研究
冰洲石晶体 CMP 工艺参数
2009/2/11
在冰洲石晶体的化学机械抛光过程中，影响CMP的工艺参数有许多，本文分析了这些工艺参数以及如何利用这些工艺参数来改变或影响CMP。