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自旋霍尔效应(SHE)可借助自旋轨道耦合作用将电流转换成纯自旋流,而后者可被进一步用于驱动磁矩反转或进动,即自旋轨道力矩(SOT)效应。它成为工业界第三代自旋轨道力矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)的物理基础。2009年,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心率先申请并获批了SOT-MRAM领域的首个原创专利[陈军养、韩秀峰等,发明专利授权号:CN200910076048.X],在其中...
自旋霍尔效应(SHE)可借助自旋轨道耦合作用将电流转换成纯自旋流,而后者可被进一步用于驱动磁矩反转或进动,即自旋轨道力矩(SOT)效应。它成为工业界第三代自旋轨道力矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)的物理基础。2009年,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心率先申请并获批了SOT-MRAM领域的首个原创专利[陈军养、韩秀峰等,发明专利授权号:CN200910076048.X],在其中...

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