搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 晶体管”相关记录25条 . 查询时间(0.184 秒)
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
未来高性能的信息器件既要满足高速运行功能又要满足超大规模的集成度要求。与电子相比，光子具有速度快、能耗低、容量高等优势，被寄予未来大幅提升信息处理能力的厚望。因此，光电融合系统被认为是构建下一代高效率、高集成度、低能耗信息器件的重要方向。光电互联（电-光-电转换）是光电融合的基础，相当于光电两条高速公路交汇的收费站。而现有硅基光电集成方案存在效率低（依赖多次光电效应）、体积大（光模块无法突破衍射极...
中国科学院微电子研究所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展（图）
二硫化钼 负电容场效应 晶体管
2021/1/15
近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”（NCFET）可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限，有望在极低电源电压下工作，从而降低功耗并保持高性能。同时，原子层厚度的二硫化钼（MoS2）免疫于短沟道效应，具有较高的迁移...
二维半导体材料具有非零带隙、极限沟道厚度、高迁移率等特点，可以显著增加栅极调控能力，是有希望继续延伸摩尔定律的新型电子材料。然而，由于二维材料表面无悬挂键，无法利用传统原子层沉积工艺沉积高质量栅极介质层，导致界面态和等效氧化层厚度（EOT）远高于硅基CMOS晶体管。因此，开发针对二维材料的高质量、超薄、并且与大面积工艺兼容的介质层集成工艺，是二维电子器件应用的关键瓶颈之一。
高性能OLET器件的构筑需要同时具有高迁移率和强荧光的活性半导体材料，但是高迁移率和强荧光是一对矛盾体，很难实现二者在同一材料体系中的有效集成。鉴于此，在中国科学院先导项目和国家自然科学基金委支持下，中科院化学研究所有机固体重点实验室科研人员近年来在高迁移率发光材料方面开展了研究，提出了“蒽拓展并五苯类似物”的光电一体化分子设计思想，发展了系列具有优异高迁移率和发光性能的有机半导体材料体系（Nat...
新型钙钛矿是目前研究的热点材料之一，其相关研究在太阳能电池、发光二极管和光电探测器等领域取得了巨大的进展。基于钙钛矿材料的光电器件和电子器件制备工艺简单，易于大面积加工制造和集成到经典的电子器件中。但是，基于钙钛矿材料的场效应晶体管研究仍然较少，已报道的工作存在载流子迁移率较低、传输机理不明等问题。针对这一问题，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室的于伟利课题组采用空间限...
紫外光电探测器在国防领域、电网安全监测、医学成像、海上搜救、环境与生化检测、森林火灾告警等诸多领域有重要应用，是世界各国竞相研发的焦点。近年来，中国科学院宁波材料技术与工程研究所曹鸿涛研究团队通过在耗尽型的SnOx/IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰p型PEDOT:PSS薄膜，实现了两端和三端器件的耦合，构建了高性能可见盲紫外光电探测TFTs。由于充分利用了两端（垂直方向内建电场，分离电荷）和三端器...
压电材料作为一种可以直接将外界力学信号转化成电学信号的材料，与场效应晶体管相结合可以实现外界应力对器件输运特性的调控。近日，中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员孙其君、中科院外籍院士王中林以及中科院物理研究所研究员张广宇的研究团队利用驻极体材料与二硫化钼场效应晶体管的结合实现了对器件的静态/动态双调控。赵静等研究人员利用驻极体材料（聚偏二氟乙烯-三氟乙烯，PVDF-TrFE）的压电-驻极体特性...
第一届全国有机场效应晶体管会议圆满召开（图）
第一届 有机场效应 晶体管 会议
2019/1/19
2018年12月13日至16日，由天津市分子光电科学重点实验室主办的“第一届全国有机场效应晶体管会议”在天津召开。会议名誉主席为中国科学院朱道本院士，主席为中国科学院黄维院士、刘云圻院士和天津大学副校长胡文平教授。来自全国六十多所高校、科研院所和公司企业的知名专家、优秀青年学者和学生共三百余人参会。胡文平致开幕词，表达了对各位专家学者到来的热烈欢迎，同时整体介绍了该研究领域的相关情况。会议现场学术...
中国科学院合肥物质科学研究院在光电晶体管的光调控方面取得进展（图）
中国科学院合肥物质科学研究院 光电晶体管 光调控
2018/10/12
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所纳米材料与纳米结构研究室研究员费广涛课题组与中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心博士张尧合作，在光电晶体管的光调控方面取得进展。研究发现，Ag/TiO2复合薄膜在外加两束光照射后，具有类似于三极管的特性，可以实现对光电信号的增强、开关和调制，该器件被称为全光输入的晶体管。相关结果作为卷首图片(Frontispiece)文章发表在《先进功能材...
中国科学院固体研究所在光电晶体管的光调控方面取得进展（图）
中国科学院固体研究所 光电晶体管 光调控方面
2018/10/10
近期，固体所纳米材料与纳米结构研究室费广涛研究员课题组与中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心张尧博士合作，在光电晶体管的光调控方面取得进展。研究发现，Ag/TiO2复合薄膜在外加两束光照射后，具有类似于三极管的特性，可以实现对光电信号的增强、开关和调制，该器件被称为全光输入的晶体管。相关结果作为卷首图片(Frontispiece)文章发表在Advanced Functional Mate...
中日科学家研究出新型二维材料半导体量子晶体管
中日科学家 二维材料 半导体 量子晶体管
2017/10/26
中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作，于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件，这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。
中国科学技术大学等在二维材料半导体量子晶体管研究中取得进展（图）
中国科学技术大学 二维材料 半导体 量子晶体管
2017/10/26
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿领导的中科院量子信息重点实验室，在半导体门控量子点的研究中取得进展。该实验室郭国平研究组与其合作者深入探索二维层状过渡金属硫族化合物应用于半导体量子芯片的可能性，实验上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。该成果于10月20日在线发表在《科学·进展》（Science Advances）上。
中国科学院深圳先进技术研究院等制备出离子增强型高效黑磷晶体管（图）
中国科学院深圳先进技术研究院 离子增强型 高效 黑磷晶体管
2017/10/20
近日，中国科学院深圳先进技术研究院喻学锋研究员团队与深圳大学教授张晗、武汉大学教授廖蕾团队合作，在二维黑磷领域取得新进展，通过金属离子修饰的方法制备出高稳定性高性能黑磷晶体管。相关成果发表于材料学领域刊物《先进材料》上。论文第一作者是博士郭志男，第一单位是中科院深圳先进院。近年来，与石墨烯一样拥有二维层状结构的黑磷展现出卓越的电学和光学特性，被视为新的超级材料，其在晶体管、光电器件、催化和生物医学...
Science Advances发表南京大学王欣然、施毅课题组在二维有机晶体管方面重要进展（图）
Science Advances 南京大学 王欣然、施毅课题组 二维有机晶体管 薄膜晶体管 LED显示 柔性电路
2017/9/22
有机半导体材料目前已广泛应用于薄膜晶体管、LED显示、柔性电路等领域。通过新材料、新工艺以及界面调控等方法，目前有机电子学的最基本元件-有机薄膜晶体管（OTFT）-的迁移率已经超过10cm2/Vs,可比拟有机单晶材料甚至多晶硅，但是其性能仍受到接触电阻及沟道杂质缺陷的限制，导致绝大多数OTFT需要较高的工作电压，影响了器件的长期稳定性。近年来，二维有机半导体薄膜的成功制备，为构建高性能、低工作电压...