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国家纳米科学中心刘新风研究员团队，联合北京大学张青团队、华南师范大学吴波团队，运用时间分辨荧光显微镜技术（Time-Resolved Photoluminescence Microscopy, TRPLM），研究了二维Ruddlesden−Popper钙钛矿（2D RPP）中的激子输运过程，通过在表面使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）刚性网络锚定软丁基铵阳离子的方法，在机械剥离的薄片中实...
有效机制可提高锡基钙钛矿载流子迁移率（图）
有效机制 锡基 钙钛矿 载流子迁移率
2023/12/12
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员袁开军和副研究员隋来志团队通过第一性原理计算发现，施加压缩应变能够使钙钛矿材料Cs2SnBr6载流子迁移率提高一个数量级。相关成果发表在Materials Today Physics上。
中国科学院大连化学物理研究所揭示提高锡基钙钛矿载流子迁移率的有效机制（图）
分子光化学 钙钛矿材料 光电器件
2024/1/12
2023年12月5日，中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室分子光化学动力学研究组（1117组）袁开军研究员和隋来志副研究员团队通过第一性原理计算发现，施加压缩应变能够使钙钛矿材料Cs2SnBr6载流子迁移率提高一个数量级。
中国科学院微电子研究所专利：具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
中国科学院生物物理研究所专利：抗高迁移率族蛋白B1的单克隆抗体
中国科学院生物物理研究所专利：抗高迁移率族蛋白B-1的单克隆抗体及其应用
聚合物场效应晶体管在实现低成本、大面积、轻质的下一代电子器件如皮肤/可穿戴电子器件、柔性显示器、射频识别标签和智能传感器等方面显示出巨大潜力。
根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报，化学所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究（完成人：刘云圻、于贵、郭云龙等）”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。
科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率（图）
超高热导率 半导体 砷化硼 载流子迁移率
2022/9/7
中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队，在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展，为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在《科学》（Science）上。
刘新风研究团队首次测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率（图）
超高热导率 半导体-砷化硼 载流子迁移率
2023/1/10
国家纳米科学中心刘新风研究员团队联合休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得重要进展，为其在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在 Science 杂志上。
磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
磷化铟高电子迁移率晶体管 二维电子气 电子束辐照 辐射加固
2022/3/17
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管（InPHEMT）外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果，本文采用气态源分子束外延法制备了系列InPHEMT外延结构材料。针对不同外延结构材料开展了1.5MeV电子束辐照试验，在辐照注量为2×1015cm–2条件下，并测试了InPHEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性，获得了辐照前后不同外延结构InPHEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变...
南方科技大学学者与合作团队提出有精确迁移率边的准周期嵌套模型（图）
南方科技大学 精确迁移率边 准周期 嵌套模型
2020/12/18
近期，南科大量子科学与工程研究院访问教授、北京大学量子材料中心教授刘雄军课题组与量子科学与工程研究院博士后王玉成在无序量子体系的研究中取得新进展。他们联合南开大学陈省身数学研究所教授尤建功、周麒等提出一类基本的精确可解准周期模型，并提出可以基于拉曼光晶格实现该模型。该类模型出现数目可控的偶数条迁移率边，其基本特性超越过去已知的具有精确迁移率边的其他模型。该研究以“One-dimensional q...
近期，南科大量子科学与工程研究院访问教授、北京大学量子材料中心教授刘雄军课题组与量子科学与工程研究院博士后王玉成在无序量子体系的研究中取得新进展。他们联合南开大学陈省身数学研究所教授尤建功、周麒等提出一类基本的精确可解准周期模型，并提出可以基于拉曼光晶格实现该模型。该类模型出现数目可控的偶数条迁移率边，其基本特性超越过去已知的具有精确迁移率边的其他模型。该研究以“One-dimensional q...