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搜索结果: 1-3 共查到机械工程 迁移失效相关记录3条 . 查询时间(0.365 秒)
本发明涉及微电子封装领域的微互连结构的可靠性,具体地说是一种抑制焊料互连凸点电迁移失效的方法,适用于抑制焊料互连凸点电迁移失效,提高互连凸点结构的可靠性。采用力学加载的方法,对焊料互连凸点施加2-30%的塑性变形,经过预应变的互连凸点显示出良好的抗电迁移性能。互连凸点在电迁移失效中常见的“极性效应”得到抑制,互连凸点焊料中元素的偏聚也被有效阻止,从而显著提高了凸点的机械强度。此外,空洞及金属小丘在...
随着微电子封装技术的快速发展, 焊点的电迁移失效问题日益受到关注. 基于有限元法并结合子模型技术对倒装芯片球栅阵列封装(flip chip ball grid array, FCBGA)进行电-热-结构多物理场耦合分析, 详细介绍了封装模型的简化处理方法, 重点分析了易失效关键焊点的电流密度分布、温度分布和应力分布, 发现电子流入口处易产生电流拥挤效应, 而整个焊点的温度梯度较小. 基于综合考虑“...
研究了Cu/Sn/Ni--P线性焊点在150和200 ℃, 电流密度1.0×104 A/cm2的条件下化学镀Ni--P层消耗及其对焊点失效机理的影响. 结果表明, 在Ni-P层完全消耗之前, 阴极界面的变化表现为: 伴随着Ni--P层的消耗, 在Sn/Ni-P界面上生成Ni2SnP和Ni3P; 从Ni-P层中扩散到钎料中的Ni原子在钎料中以(Cu, Ni)6Sn5或(Ni, Cu)3Sn4类型的I...

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