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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 铅 四元系 负温度系数 热敏电阻器
2024/1/16
本发明涉及一种含铅四元系负温度系数热敏氧化物粉体合成及电阻器的制备方法，该方法以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料，采用氧化物固相法制备粉体材料，粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成负温度系数热敏电阻器，该电阻器具有高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的特点，其材料常数为B25/50=3485-4106K，B值允许偏差：±1%，R25℃=70-630Ω，阻值允许偏差：±3...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种高温厚膜热敏电阻的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 厚膜 热敏电阻
2024/1/15
本发明涉及一种高温厚膜热敏电阻的制备方法，该方法是将硝酸镧、乙酸锰和硝酸铝分别溶解在冰醋酸中，得到纯清溶液，将溶液蒸发得到凝胶，再将凝胶加热、高温晶化，得到热敏粉体，再将热敏粉体和乙基纤维素按照一定的质量比混合、研磨，再将研磨好的粉体和松油醇混合、搅拌得到均匀的厚膜浆料，最后将浆料印刷在Al2O3衬底上、热处理，得到厚膜热敏电阻。制得热敏电阻样品膜厚为25μm，满足电子设备结构的微型化要求，而在8...
本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K...
本发明涉及一种改进的共沉淀法制备热敏电阻粉体材料的方法，该方法将传统的共沉淀法进行改进，以锰，钴，镍，镁，铝，铁的硝酸盐作为初始反应物，草酸钠作为第一次沉淀反应的沉淀剂进行酸式沉淀，氢氧化钠作为第二次沉淀反应的沉淀剂进行碱式沉淀，进行两次沉淀反应，制得了与初始配比最为接近的锰、钴、镍的氧化物与镁、铝、铁的氧化物相复合的尖晶石结构负温度系数热敏电阻粉体材料。经过两次沉淀反应以后，大部分的金属离子的沉...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种锶掺杂铬酸镧热敏电阻材料
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 锶掺杂 铬酸镧 热敏电阻材料
2024/1/10
本发明涉及一种基于La1-xSrxCrO3的热敏电阻材料，该材料以三氧化二镧，三氧化二铬和碳酸锶为原料，经混合研磨、煅烧、研磨、冷等静压成型、高温烧结，即可得到钙钛矿结构La1-xSrxCrO3(0≤x≤0.5)锶掺杂铬酸镧热敏电阻材料，该材料常数为B-80℃/?40℃=(1200-4200)×(1±2%)-K, 温度?80℃电阻率为（6×105-20）Ω.cm，温度100℃老化300小时后阻值变...
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...
本发明涉及一种铬掺杂铝酸镁高温热敏电阻材料及其制备方法，该热敏电阻材料是以三氧化二铝、氧化镁和三氧化二铬为原料，经混合研磨、煅烧、研磨、成型、冷等静压成型、高温烧结，即可得到Mg(Al1?xCrx)2O4（0≤x≤0.5）热敏电阻材料，其材料常数为B500℃/800℃=(6800?12000)×(1±2%)K，温度500℃电阻率为(2.7×103–3.8×107)×(1±5%)Ωcm，温度500℃...
本发明涉及一种三元系负温度系数热敏电阻材料的制备方法，该方法是由Co、Mn、Fe三种金属元素的氧化物组成，经湿法球磨制备、预烧、成型、烧结等工艺得到高稳定 三元系负温度系数热敏电阻材料，通过本发明所述方法获得的三元系负温度系数热敏电阻材料的性能参数为标准电阻（25℃电阻）为1002‑1797 Ω，材料常数为3671K‑3994 K，在温度150℃下老化500 h后，电阻漂移...
本发明涉及一种高温热敏电阻材料及其制备方法，该电阻材料以分析纯三氧化二钇，三氧化二钐或三氧化二钆，三氧化二铬，二氧化锰为原料，经混合研磨、煅烧、混合研磨、成型、高温烧结、涂烧电极，即可得到稀土氧化物Y2O3与钙钛矿结构MCr0.5Mn0.5O3复合（M=Sm或Gd）的陶瓷材料，材料常数为B300℃/800℃=(4600?5600)×(1±2%)?K, 温度100℃电阻为(5.8?516)?×(1±...
本发明涉及一种三氧化二钇掺杂的宽温区热敏电阻材料及其制备方法，该材料以分析纯碳酸钙、二氧化铈、五氧化二铌、三氧化钨、三氧化二钇为原料，经混合研磨、煅烧、冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极，即可得到Y2O3掺杂的具有白钨矿结构的YxCa1‑xCeNbWO8陶瓷材料，材料常数为B300℃/600℃=5600K—9600K，温度100℃电阻率为1.34×106Ωcm—1.27×108 Ωcm,...
本发明涉及锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法。该方法首先以硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴的两种或三种作为金属离子源，草酸二乙脂作为反应沉淀剂，氨水或氢氧化钠作为配位剂，进行化学沉淀反应，然后将沉淀产物经抽滤洗涤、干燥研磨、煅烧研磨后得到锰、镍、钴基二元或三元热敏电阻粉体材料。该方法具有操作简便、成本低、周期短、产率高的特点，所得热敏电阻粉体为尖晶石结构，粒径小、形状好、分散性好、品质好。
本发明涉及一种双层负温度系数热敏电阻及其制备方法。该电阻是由A层MgAl2O4 和B层LaCrO3 组成双层结构，或A层MgAl2O4 掺杂物Mg1−xMxAl2O4与B层LaCrO3组成双层结构，或A层MgAl2O4 与B层LaCrO3掺杂物La1‑xMxCrO3组成双层结构，或A层MgAl2O4 掺杂物Mg1−xMxAl2O4与B层LaCrO3掺杂物La1&...
本发明涉及一种类钙钛矿型高温热敏电阻材料及其制备方法，该材料以分析纯碳酸钙，氧化铜，二氧化锰，二氧化钛，三氧化二钇原料，经混合研磨、煅烧、冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极，即可得到类钙钛矿结构的Ca1‑xYxCu2.5Mn0.5Ti4O12(0≤x≤0.1)热敏陶瓷材料，材料常数为B300℃/500℃＝6800K‑7700K，温度25℃电阻率为1.09×107ΩcmR...
本发明涉及一种喷墨打印用热敏电阻陶瓷墨水的制备方法，该方法首先制备热敏电阻粉体，将金属氧化物或金属盐按照常规的氧化物固相球磨法、化学液相法的反相微乳法或化学液相法的共沉淀法制备得到热敏电阻粉体，再将热敏电阻粉体与有机溶剂，分散剂和粘合剂混合搅拌，超声，静置，即得到热敏电阻陶瓷墨水。通过本发明所述方法获得的热敏电阻陶瓷墨水均一稳定，不沉降，具备极好的喷出稳定性，效果优良，在喷墨打印条件下，不会轻易堵...
本发明公开了一种超薄芯片型热敏电阻的制备方法。该方法首先采用流延法制备超薄热敏陶瓷片；继而采用丝网印刷法对陶瓷片进行电极涂覆；接着利用划片机对所得热敏陶瓷芯片进行切割，并在电极表面焊接引线；最后对元件进行超薄绝缘封装。本发明实现了超薄芯片型热敏电阻的制备，该技术具有机械化程度高、工艺简单、成本低廉、普适性强等特点，因此适用于制备各种超薄芯片型电子元器件，具有很大的应用前景。