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渡金属氧化物中由于晶格、自旋、轨道和电荷等多重自由度高度耦合，表现出极为丰富的物理特性，是多场物态调控的载体。在氧化物界面处，不连续的晶格结构导致各序参量之间的相互作用发生急剧变化，极易发生金属离子间的电荷转移、轨道重构和自旋重排等新奇现象，因此氧化物界面的原子级精准构筑、物性表征和动态调控成为功能薄膜物理领域的研究热点之一。过去几十年，科学家们只能通过选择晶格结构和晶格常数相近的材料进行外延生长...
面内异晶面和异应力同质结的构筑（图）
异晶面 异应力 同质结
2023/1/5
过渡金属氧化物中由于晶格、自旋、轨道和电荷等多重自由度高度耦合，表现出极为丰富的物理特性，是多场物态调控的载体。在氧化物界面处，不连续的晶格结构导致各序参量之间的相互作用发生急剧变化，极易发生金属离子间的电荷转移、轨道重构和自旋重排等新奇现象，因此氧化物界面的原子级精准构筑、物性表征和动态调控成为功能薄膜物理领域的研究热点之一。过去几十年，科学家们只能通过选择晶格结构和晶格常数相近的材料进行外延生...
二维磁性半导体Fe-SnS2同质结中大的不饱和磁电阻（图）
二维磁性半导 Fe-SnS2 磁电阻 凝聚态物理
2022/10/4
中国科学院半导体研究所魏钟鸣团队和北京大学廖志敏团队合作利用Fe原子掺杂的二维半导体材料SnS2 （Fe-SnS2）构建的同质结，研究了在该同质结器件中存在大的不饱和磁电阻效应。Fe-SnS2是一种掺杂磁性元素的二维磁性半导体，具有非常优异的稳定性，在空气中仍能稳定保持。通过低温输运测量表明，该同质结器件表现出完全不同于原始纯SnS2材料的抗磁特性。在平行磁场（磁场平行于样品平面）下磁电阻值高达1...
