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拓扑绝缘体及其边界态的研究一直备受关注。最近研究人员提出了高阶拓扑绝缘体[1]，比如三维二阶拓扑绝缘体，同时具有有能隙的体态和表面态，但是存在无能隙的一维棱态。二维的二阶拓扑绝缘体(2D SOTI)在能隙中存在相应的角态，Benalcazar等人提出的2D SOTI模型不适合电子材料体系[1]，而且人们很少在过渡金属层状材料中提出高阶拓扑。近年来，A2M1,3Te5(A=Ta, Nb; M=Pd,...
中国科学院物理研究所预言新型二维大能隙拓扑绝缘体（图）
二维拓扑绝缘体 二维系统 量子自旋 霍尔效应
2014/11/3
众所周知，二维拓扑绝缘体的体内是绝缘的，而其边界是无能隙的金属导电态。且这种金属态中存在自旋－动量的锁定关系，相反自旋的电子向相反的方向运动，由于受到时间反演不变性的保护，它们之间的散射是禁止的，因此是自旋输运的理想“双向车道”高速公路，可用于新型低能耗高性能自旋电子器件。当前实验证实的二维拓扑绝缘体有HgTe/CdTe和InAs/GaSb等的量子阱。但它们的样品制备需要精准的调控，不利于规模化生...
特定条件下石墨烯可变身拓扑绝缘体
特定条件 石墨烯 拓扑绝缘体
2013/12/26
据美国麻省理工学院网站近日报道，该校科学家通过研究发现，在某些极端情况下，可将石墨烯转化为具有独特功能的拓扑绝缘体，有望为量子计算机的制造提供新思路。相关研究发表在本周出版的《自然》杂志上。
超高压下半导体材料可变身拓扑绝缘体
超高压 半导体材料 拓扑绝缘体
2013/12/16
据物理学家组织网2013年12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。
自然界中存在天然形成的拓扑绝缘体
自然界 天然形成 拓扑绝缘体
2013/3/22
据《自然》网站2013年3月8日报道，最近，德国马克斯·普朗克研究院固体研究所科学家发现，自然界中也存在天然形成的拓扑绝缘体，而且比人工合成的更纯净。这一发现对建造自旋电子设备具有促进作用，并有助于设计开发用电子自旋来编码信息的量子计算机。研究结果发表在最近出版的《纳米快报》上。