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中国科学院高能物理研究所专利：一种静电聚焦微通道板光电倍增管
《物理学报》|Y型微通道内气泡非对称破裂行为的数值研究
出口流量比 Y型微通道 气泡破裂 三维数值模拟
2022/3/23
基于微通道两相流的微流控技术已得到广泛的应用,精确控制通道中气泡或液滴的尺寸对相关微流控系统的设计起到至关重要的作用.本文基于流体体积法重构Y型微通道内的气泡破裂行为,系统研究了气泡无量纲尺寸(1.2—2.7)、出口流量比(1—4)以及主通道雷诺数(100—600)对气泡破裂行为的影响.发现气泡非对称破裂过程分为3个阶段:延伸阶段、挤压阶段和快速破裂阶段.在气泡初始尺寸较小或出口流量较大的情况下,...
着大型集成芯片等电子设备的释热率不断升高，普通的微通道热沉（MHS）已很难满足其散热需求。自相似微通道热沉（SSHS）作为一种新的换热结构设计，与一般的微通道热沉（MHS）相比，具有更好的综合性能和应用前景，但SSHS内部依然存在一定的流量分配和换热不均等缺陷。为克服SSHS自身的缺陷，提高其工作性能，本文将原有的入口分流通道改为渐缩式设计，以缓解SSHS原型设计中流量分配不均的缺陷；同时，利用数...
覆银硅微通道板用于三维锂离子电池负极研究
硅微通道板 锂离子电池 三维微电池 负极
2014/1/10
采用光辅助电化学刻蚀和无电镀银方法,制备出一种可用于三维锂离子电池的覆银硅微通道板（Ag/Si-MCP）负极结构. 利用XRD和扫描电镜（SEM）对材料特性进行表征；并在氩气氛保护下以锂片为对电极封装为CR2025半电池,采用恒流充放电测试、循环伏安法（CV）及交流阻抗法（EIS），对银覆盖层对电极性能的影响进行了细致的分析. 在0.02 V～1.5 V电位（vs. Li+/Li）范围内以10 m...
覆镍硅微通道板用于三维超级电容器的研究
三维 硅微通道板 氢氧化镍 超级电容器
2014/1/10
采用无电镀方法在硅微通道板上制备镍，然后进一步通过化学液相沉积法，在其上面制备了氢氧化镍纳米晶体，获得了一种具有独特三维结构的Si-MCP/Ni/Ni(OH)2超级电容器.研究发现，制得的氢氧化镍晶体由许多纳米薄片组成，XRD图谱显示其具备α和β两种晶型.通过循环伏安和计时电位法对该超级电容器进行了性能测试.在放电电流为10 mA时，样品获得最大放电比容量，为2 150 F/g.在多次循环测试中...
一种具有分布式端口结构的微通道换热器。由：(一)冷、热流体的通道芯片；和，(二)具有流体通路孔的传热板，以及，(三)带有流体通道的金属封板构成。每种流体芯片的结构及尺寸相同，两种流体芯片的通道结构对称；第一种流体芯片的一对角区设第二种流体芯片上流体的通路孔；每个芯片上的流体通道的端口区为多通道结构，并与相邻传热板和芯片上的通路孔区形成分布式出入口。本发明换热器除具有微通道换热器高传热特性优点外，还...
轴向热传导和入口效应对圆形微通道对流换热特性的影响
轴向热传导 速度滑移 温度跳跃
2009/1/16
提出了一种考虑轴向热传导、速度滑移、温度跳跃和入口效应情况下圆形微通道能量方程的求解方法．运用分离变量法将能量方程转化为本征值问题，再通过温度跳跃边界条件求解得到了本征值，由本征函数的正交性确定了能量方程的完备解的待定常数，给出了流体温度场和努塞尔数的计算表达式．对圆形微通道换热特性进行了数值仿真，结果表明，轴向热传导和入口效应增加了入口处的局部努塞尔数，速度滑移系数越小，局部努塞尔努塞尔数的渐进...
微通道板电子透射膜的工作特性
微通道板 电子透射膜 像管
2007/12/9
利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染. 探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性. 实验表明,4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子.
微通道板电子透射膜工艺的AES研究
微通道板 电子透射膜 像增强器 碳污染
2007/12/8
用冷基底溅射方法和静电贴膜方法分别在微通道板表面制备了电子透射膜,采用俄歇电子能谱(AES)研究了两种工艺制备的微通道板电子透射膜的薄膜成分,微通道板电子透射膜工艺失败微通道板通道表面的成分和通道内壁的成分随深度的变化. 结果表明,冷基底溅射方法制膜工艺的失败对MCP造成了严重的碳污染,污染的MCP不可回收;静电贴膜方法制膜工艺的失败对MCP通道表面没有明显影响,MCP可回收利用.