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本发明涉及金属薄膜或金属箔等厚度为小尺寸材料的力学性能临界特征尺度 测试系统的建立,该系统提供对样品实施微弯曲实验的整套测试装置及具体测试 方法。整套测试装置包括基座、推进器、样品加载模具对模、芯轴等。推动推进 器,将上模具与下模具扣合,样品在加载对模中受到纯弯曲载荷的作用,直到被 测样品按照所接触的芯轴曲率发生完全弯曲变形,通过测算样品弯曲变形的曲率 半径可进一步获得材料的力学性能临界特征尺度值...
中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法
中国科学院金属研究所 专利 刻蚀基板法 外延定向生长 氮化物 纳米片网络
2023/12/27
一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法,采用刻蚀Si 基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格,首先用 含1-5％的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min,然后去除表面的氧化硅薄膜,用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区,刻蚀后的Si片 作沉积基板放在出气端,用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米 片。这种Si基板自生模板,与常规氧化铝多孔模板相...
中国科学院金属研究所专利：一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 薄膜
2023/12/27
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用电弧离子镀沉积高质量 薄膜的装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性 能和寿命等问题。本实用新型双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与 基体之间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本实用新 型是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量, 提高薄膜的质量,达到制备高质量薄膜的要求。
中国科学院金属研究所专利：一种纳米叠层TiN梯度膜及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 纳米叠层 TiN梯度膜
2023/12/27
本发明涉及离子镀膜技术,具体为一种纳米叠层TiN梯度膜及其制备方法, 解决工作温度低于600℃,由高温合金制成的汽车发动机阀门、飞机叶片等零部 件的表面耐磨、耐腐蚀问题,以及常规TiN离子镀膜镀层易开裂问题。本发明利 用离子镀膜技术在高温合金表面上沉积纳米叠层TiN梯度膜。其制备方法：首先 除去合金表面上的油污,在有机溶剂中超声清洗；然后,将洗净的试样装卡在卡 具上并置入离子镀膜设备的真空室内,抽...
中国科学院金属研究所专利：热生长Cr203膜型Cu-Ni-Cr纳米复合镀层及制备和应用
中国科学院金属研究所 专利 热生长 Cr2O3 Al2O3膜型 M-Cr-Al纳米复合镀层
2023/12/21
中国科学院金属研究所专利：热生长Cr203膜型Cu-Ni-Cr纳米复合镀层及制备和应用
中国科学院金属研究所专利：一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低温装置
中国科学院金属研究所 专利 薄膜 热膨胀测量 低温装置
2023/12/21
本实用新型涉及用于薄膜非接触热膨胀测量技术,具体为一种用于薄膜非接 触热膨胀测量的低能耗低温装置(-130℃～250℃)。该装置设有低温-高温炉系统、 试样架系统,低温-高温炉系统采用两级真空双层结构,置于低温-高温炉系统中 的加热器采用锥型-沟槽型结构,置于加热器中的试样架系统采用弹性夹持结构。 本实用新型用非接触方法测量薄膜热膨胀的低能耗,将温度范围扩展到低温,低 温装置在1.5小时内使试样降...
中国科学院金属研究所专利：一种离子镀弧斑控制装置
中国科学院金属研究所 专利 离子镀 弧斑控制
2023/12/21
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型离子镀弧斑控制装置, 所述新型离子镀弧斑控制装置的靶材底座后面设有由小型直流电机或者交流电机 驱动的旋转磁场发生装置,电机驱动固定在电机转轴上的磁轭带动合理分布在磁 轭上的永磁体转动,不同的永磁体分布产生不同位形结构的旋转磁场,实现多控 制模式的目的。本实用新型利用简单紧凑的装置结构和不同的永磁体分布方式, 产生不同位形的动态旋转磁场,用以改善弧斑的放...
中国科学院金属研究所专利：一种动态受控电弧离子镀弧源
中国科学院金属研究所 专利 动态受控 电弧离子镀 弧源
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用动态磁场控制弧斑运动的电 弧离子镀弧源。所述动态受控电弧离子镀弧源设有动态控制磁场发生装置、靶材、 靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置 和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置放置于靶材后面,和靶材同轴放置, 辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。本发明通过两组磁场发生装置配 合使用,在靶面上形成动态分布的拱形磁场,...
中国科学院金属研究所专利：提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积 薄膜质量
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种提高电弧离子镀沉积薄膜质量的 装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性能和寿 命等问题。本发明采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之 间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本发明是在电弧 离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量,降低薄膜表 面的粗糙度,提高薄膜的性能和寿命,达到制备高...
中国科学院金属研究所专利：一种结构紧凑的多功能磁控离子镀弧源装置
中国科学院金属研究所 专利 结构紧凑 磁控离子镀 弧源装置
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种结构简单紧凑的多功能多控制模 式磁控离子镀弧源装置,磁控离子镀弧源装置的靶材底座后面设有由小型直流电 机或者交流电机驱动的旋转磁场发生装置,电机驱动固定在电机转轴上的磁轭带 动合理分布在磁轭上的永磁体转动,不同的永磁体分布便产生不同位形结构的旋 转磁场,实现多控制模式的目的。本发明利用简单紧凑的弧源结构和不同的永磁 体分布方式,产生不同位形的动态旋转磁场,用以...
中国科学院金属研究所专利：旋转磁控电弧离子镀弧源
中国科学院金属研究所 专利 旋转磁控 电弧离子镀 弧源
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋 转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生 装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上, 磁极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁 极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120° 的三相励磁顺序供电,在磁极包围的空...
中国科学院金属研究所专利：一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺
中国科学院金属研究所 专利 磁场增强 电弧离子镀 沉积工艺
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺, 用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀 均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后 面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助 对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了 传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提...
中国科学院金属研究所专利：薄膜材料动态弯曲疲劳性能测试系统
中国科学院金属研究所 专利 薄膜材料 动态弯曲 疲劳性能测试
2023/12/20
本实用新型涉及一种薄膜材料动态弯曲疲劳性能测试系统,解决常规测试系 统施加载荷精度不够、试样夹持方法不当等问题。该测试系统由电磁驱动部分、 试样夹持部分和测量与观察部分组成,电磁驱动部分由电源、永久磁铁、支撑弹 簧、线圈和驱动杆组成,电源与线圈电连接,线圈内侧设置永久磁铁；试样夹持 部分由基架和夹持在其上可自由调节的夹具组成,被测试样的一端固定在水平及 高度方向可自由调节的夹具上,夹具固定在基架上...
中国科学院金属研究所专利：一种热等静压用石墨金属包套的制备装置
中国科学院金属研究所 专利 热等静压 石墨金属包套
2023/12/18
本发明涉及高性能石墨密封材料的制备技术,具体为一种热等静压用石墨金 属包套的制备装置。该装置设有石墨柱、金属棒、石墨垫片、金属垫片、石墨坩 埚盖、石墨坩埚、浇铸口,石墨坩埚内装有石墨柱,石墨柱下表面隔一金属垫片 与石墨坩埚底接触,石墨柱上表面和侧面留有用于填充金属的间隙,石墨柱上表 面与石墨坩埚顶部设置的石墨坩埚盖之间插设有金属棒,石墨柱上表面设有石墨 垫片,该石墨垫片上表面顶设有金属棒,石墨坩埚...
中国科学院金属研究所专利：柔性电子基板上薄膜材料可靠性原位评价系统
中国科学院金属研究所 专利 柔性电子基板 薄膜材料 可靠性
2023/11/28
本实用新型涉及一种柔性电子基板上薄膜材料可靠性原位评价系统。该原位 评价系统的基座内侧相对设置有平动滑块、固定块,固定块与基座固定连接,平 动滑块与基座呈滑动连接,简支梁可动端安装于平动滑块上,简支梁固定端安装 于与平动滑块相对的固定块上,与平动滑块相连的简支梁可动端和与固定块相连 的简支梁固定端相对应,简支梁可动端和简支梁固定端之间安装试样,试样的一 端放置在与基座相连的简支梁固定端,试样的另一...