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中国科学院金属研究所专利：一种3D树枝状结构的光电探测器及其制作方法
中国科学院金属研究所专利：基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
中国科学院金属研究所专利：基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
中国科学院金属研究所发展出光控二极管（图）
光控二极管 集成电路 光电芯片
2022/9/20
未来集成电路的发展呈现出多元化发展趋势，其中，光电芯片可实现光传输及信息处理功能，通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。二极管作为重要的基本电学元件，在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域颇具应用价值，其结构和功能十分丰富（图1）。
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的原型器件尚未见报道。近日，金属所沈阳材料科学国家研究中心科研人员与国内多家单位合作，在《先进材料》（Advanced Materials）在线发表题为“柔性碳纳米管传感-存储器件 （A flexible carbon nanotube sen-memory devi...
中国科学院金属研究所等在层状氧化物准一维导电特性形成机理研究中获进展（图）
中国科学院金属研究所 层状氧化物 导电特性
2017/12/11
近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室固体原子像研究部研究员陈春林、马秀良，IBM苏伊士实验室教授、诺贝尔物理学奖获得者Johannes Georg Bednorz，以及日本东京大学教授Yuichi Ikuhara等合作，在原子尺度上建立了准一维导电材料SrnNbnO3n+2的导电特性与其原子电子结构之间的相互关系，揭示了其准一维导电特性的形成机理。在此基础上，提出了通过往三维导...
中国科学院金属研究所新型光催化还原材料研究获进展（图）
中国科学院金属研究所 光催化 还原材料
2017/7/26
自20世纪70年代以来，光催化技术由于在解决人类面临的能源危机和环境污染上的巨大潜力而受到广泛关注。光催化反应中，半导体光催化材料（如TiO2）吸收光被激发，产生光生电子和空穴；光生电子和空穴迁移到材料表面后，既可以发生氧化反应，也可以发生还原反应。以光生电子为主导的光催化还原反应能够有效去除水中多种致癌含氧阴离子。然而，现有光催化还原材料的反应效率较低，制约了其实际应用。为了提升光催化还原反应的...
铁电材料由于具有铁电、介电、压电、热释电等丰富的物理性能，被广泛应用于非易失性铁电存储器、电容器、制动器、热释电探测器等电子器件中。为满足电子器件小型化的发展需求，铁电体需要以低维薄膜的形式集成到电子器件中。但是，随着薄膜厚度的减小，在异质界面去极化场的作用下，铁电极化会显著降低甚至消失，如何保持甚至增强超薄铁电体的极化是该领域长期以来面临的基础性科学难题。