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本发明涉及一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法，该方法涉及测试装置是由计算机、直流电源、数据采集及时序控制电路、camlink数据线、导线和器件座组成，首先将测试装置放置在测试室内，安装好紫外探测器后，检查各项功能正常后，取下紫外探测器，将其放在辐照室内开始辐照试验，直至达到预定的最大辐照注量，停止辐照，结束辐照试验，利用已有参数计算方法，结合采集的图像计算出暗电流、输出信号、暗电流噪...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法和应用
西安交通大学材料学院教授汪宏课题组与复旦大学、南方科技大学与美国宾州州立大学科研人员合作，研制出一种用于高性能通讯系统的透明自供电超快紫外探测器。相关成果近日发表在《先进功能材料》上。紫外光电探测器是一种可以将紫外波段的光转换为电学信号的传感器，在国防军事、现代工业生产等领域发挥着重要作用。近年来，随着透明电子技术的兴起，透明紫外探测器也逐渐成为研究热点。然而，高透过率与高探测性能尤其是快速光电响...
西安交通大学科研人员在透明紫外探测器研究方面取得新进展（图）
西安交通大学 科研人员 透明紫外探测器 光电探测
2019/6/28
紫外光电探测器是一种可以将紫外波段的光转换为电学信号的传感器，在国防军事、现代工业生产和民用领域发挥着重要作用。近年来，随着透明电子技术的兴起，透明紫外探测器也逐渐成为研究热点。然而高透过率与高探测性能（尤其是快速光电响应）难以兼得，使器件在动态传感和紫外通讯等方面的应用受到制约。针对上述问题，西安交大汪宏教授课题组与合作者设计制备出一种新型自供电紫外光电探测与通讯器件。通过二氧化钛薄膜两侧构筑的...
ZnO基光电子学及透明电子学是近年来信息和材料科学领域的研究热点。理论上通过Mg、Be等元素的掺杂，ZnO基合金的禁带宽度能在很宽波段范围内进行调谐，如通过调整MgxZn1-xO中的Mg组分，其带隙可在3.37~7.8eV（368~159nm）范围内调控，从而可覆盖280~220nm日盲波段，成为继AlGaN后又一重要的日盲紫外探测材料。作为核心元器件的日盲紫外探测器在多个领域具有重要应用价值，是...
日盲光谱区是指波长在200～280nm波段的紫外辐射，由于太阳辐射在这一波段的光波几乎完全被地球的臭氧层所吸收，即在这个波段大气层中的背景辐射几乎为零，所以称为“日盲”。在该光谱范围内，由于具有极低的背景噪音，同红外探测技术相比，紫外探测具有虚警率低、不需低温冷却、不扫描、告警器体积小、重量轻等优点。因此此项探测技术有着极其广泛的应用前景及应用需求，可用于紫外天文学、天际通信、火灾监控、汽车发动机...
背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计
高量子效率 AlGaN 日盲紫外探测器
2016/9/2
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设...
结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究
AlGaN 日盲探测器 PVDF 热释电效应
2016/9/2
制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly（vinylidene fluoride）（PVDF）热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时，测量PVDF两端的热释电响应光谱，测得峰值响应在入射光波长为260 nm处，响应电压高达129.6 mV（此时辐射功率为39.8 nW）。器件响应机理为：紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收，产生光生载流子并复合生热，热...
283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器
紫外探测器 AlGaN 日盲 量子效率
2016/8/30
实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的AlGaN基p-i-n结构材料，通过对工艺流程的优化设计，制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器，获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%，n区Al组分为65%。探测器为直径500 μm的圆形，光谱响应起止波长为260~310 nm，峰值响应波长283 nm。零偏压下，暗电流密度为2.7×10-10 ...
MSM结构ZnO紫外探测器的制备及光电性能研究
ZnO薄膜 紫外探测器 MSM结构 光电性能
2013/9/29
采用磁控溅射方法，在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜（SEM）观察及X射线衍射（XRD）分析，研究了ZnO紫外 探测器的光电特性。结果表明：探测器的光电流高出暗电流近3个数量级，紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级，所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性 的要求。
利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜，研究了退火对ZnO薄膜特性的影响，并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型 MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350nm波长紫外光照下电流增加，在紫外波段有较高的响应度，光响应度峰值在370nm附近。
分别采用磁控溅射和溶胶-凝胶工艺制备了相同厚度的TiO2薄膜,并用以制备了金属-半导体-金属(MSM)结构TiO2基紫外探测器.通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了TiO2薄膜生长工艺对探测器光电性能的影响规律.结果表明:磁控溅射工艺下,探测器的光电流虽然较低,但响应时间和暗电流远小于溶胶-凝胶工艺制备的探测器,其具备了高辐射灵敏度和快速响应特性.磁...
ZnO薄膜紫外探测器的研制
ZnO薄膜 磁控溅射 肖特基二极管 紫外探测器
2014/5/13
利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si衬底上制备了ZnO薄膜，并在薄膜上制作了Ag-ZnO肖特基二极管和Ag-ZnO-Ag肖特基 MSM叉指结构的紫外探测器。所制备的ZnO薄膜具有良好的c轴择优取向，表面平整，在可见光范围具有较高的透射率，吸收边在370nm附近；所制作的肖特基二极管显示了良好的整流特性，有效势垒高度约为0.65eV；所制作的MSM紫外探测器在5V偏压下漏电流为3.3×10-8A...
用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器
MgZnO薄膜 射频磁控溅射 金属有机化学汽相沉积
2009/11/2
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点，本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜，制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲（太阳盲）波段的光响应，典型的光响应峰值分别在225和250 nm，截止边为230和273 nm。
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