搜索结果: 1-12 共查到“自吸收”相关记录12条 . 查询时间(0.109 秒)
γ能谱固体样品的自吸收修正研究
γ能谱 质量减弱系数 自吸收修正
2022/3/17
为了提高激光诱导击穿光谱技术对微量元素定量分析的精度,降低谱线自吸收效应的干扰,实验以攀钢生铁标准样品中的Mn元素作为研究对象,探索激光诱导击穿光谱特征和自吸收效应随着不同离焦量及延时时间参数的变化规律;通过分析不同延时时间和不同离焦量下等离子体光谱强度、等离子体温度、定标曲线决定系数R2和自吸收系数的变化趋势,来寻找最佳延时时间与最佳离焦量。结果显示,定标曲线决定系数R2随着延时时间的增大总体呈...
铁矿石冶炼过程中对其酸度进行准确把控将对铁矿石利用率及冶炼过程产生严重影响。因此,亟需一种铁矿石酸度快速准确分析方法。实验基于激光诱导击穿光谱(Laser-induced breakdown spectroscopy,LIBS)技术结合偏最小二乘回归(Partial least squares regression,PLSR)方法成功地提出了一种铁矿石酸度快速定量分析方法。首先,采集了20组铁矿石...
激光诱导击穿光谱(LIBS)技术是一种新兴的元素分析技术,但自吸收效应对LIBS测量的影响较大。文中利用Nd∶YAG激光器产生的基频1 064 nm脉冲激光在空气中击穿镍靶产生等离子体,观测了四条跃迁对应同一电子组态(3d9(2D)4p—3d9(2D)4s)谱线NiⅠ 341.476/351.034/351.505/352.454 nm的自吸收现象。实验发现,谱线NiⅠ 351.034 nm没有出...
激光诱导击穿光谱(LIBS)技术是一种新兴的元素分析技术,但自吸收效应对LIBS测量的影响较大。文中利用Nd∶YAG激光器产生的基频1 064 nm脉冲激光在空气中击穿镍靶产生等离子体,观测了四条跃迁对应同一电子组态(3d9(2D)4p—3d9(2D)4s)谱线NiⅠ 341.476/351.034/351.505/352.454 nm的自吸收现象。实验发现,谱线NiⅠ 351.034 nm没有出...
裂变气体核素γ射线效率刻度中的自吸收校正
蒙特卡罗方法 HPGe探测器 探测效率 自吸收校正
2011/8/16
针对裂变气体核素HPGe探测器效率刻度中的自吸收校正问题,本工作详细描述了源盒、探测器和源物质等计算中需要的参数,按照实际的几何布局建立了HPGe探测器效率的蒙特卡罗计算模型,并编制了相应计算程序。计算模型可靠性得到实验数据的验证,用该模型计算了裂变气体核素在不同源介质下的探测效率,得到了相应的自吸收校正因子。
NO分子双光子诱导荧光的自吸收现象
NO分子 双光子激光诱导荧光光谱 自吸收
2009/10/30
以皮秒Nd:YAG激光器抽运的光学参量发生/放大器为激发光源,获得了在452.4 nm波长激光激发下,NO分子的双光子激光诱导色散荧光光谱(LIDFS)。并由此得到了NO分子基电子态的振动基频和振动非谐性系数分别为ω″e=(1 904.7±7.3) cm-1, ω″eχ″e=(14.2±1.2) cm-1, ω″ey″e=-(0.021 8±0.009 1) cm-1。在NO分子双光子LIDFS实...
分段γ扫描自吸收校正法分析残渣和废物中的铀、钚含量
无损分析 分段γ扫描 核材料管理 核废物
2008/12/19
叙述了用于非破坏分析残渣和废物中的铀、钚含量的分段γ扫描自吸收校正法(简称分段γ扫描法)。研究了分段γ扫描测量核工厂实物盘点中含铀、钚各类非均匀样品的刻度方法,分析了各种测量条件对γ自吸收校正及测量结果的影响。本方法与化学破坏分析法进行了比对分析,结果表明分段γ扫描自吸收校正法与化学破坏分析法的偏差为-3.6%,在分析误差范围内符合得很好。本分析方法成功地应用于核工厂实物盘点现场分析,测量了4类...
用圆柱形体源刻度Geγ谱仪效率的能量及源自吸收的数学模型
γ谱仪 自吸收校正 效率刻度
2008/12/18
文章报导了关于圆柱体源的γ谱分析的不同密度源的自吸收校正函数模型。该模型统一反映了γ射线能量、装样密度对自吸收校正函数的影响,从而为γ谱分析的测量效率的刻度找到了一条捷径。
用固体径迹探测器测定无限厚裂变源的自吸收因子
固体径迹探测器
2008/12/16
在固体径迹探测器的应用中,裂变源总有一定厚度。裂变源厚度对固体径迹探测器探测效率的影响是一个重要参数。如果定义探测器效率为:蚀刻后在探测器上观察到的径迹数目与入射到探测器上的碎片数目之比,那么探测器的效率应是一个常数。裂变碎片能否入射到探测器上,与裂变源的厚度有关,因为在裂变源中,各向同性发射的裂变碎片,必然有一部分完全停止在裂变物质中。由于这种自吸收的存在,所以在用2π探测器探测到
有自吸收现象时谱线强度与物质浓度的关系
2007/12/12
谱线强度(I)与物质浓度(C)之间的定量关系是定量光谱分析的物理基础。由于实际光源中的谱线或多或少地都有自吸收现象,所以在实际情形下,I与C的关系是较为复杂的。本文中应用迁移取样法进行铸铁中的硅的光谱分析,选择了适当的条件,使Si 2516多重谱线系中的Si 2519线在光源中不发生自吸收,因而可以用它的强度代表光源中的物质浓度,同时测定了多重谱线系中发生自吸收最严重的Si 2516线的定标曲线斜...