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自旋电子学技术是后摩尔时代的核心关键技术之一,在磁存储、逻辑运算、仿生芯片、类脑计算、量子计算等领域都有着广阔的前景。自旋轨道力矩效应提供了局域信息写入机制,利用电子的自旋属性实现磁矩的高效翻转,是目前自旋电子学领域的研究热点。受限于自旋霍尔角和电阻率的正相关性,不能通过无限提高自旋霍尔角来实现临界电流的降低。如何平衡电阻率和自旋霍尔角是低功耗自旋电子学器件走向商业化的一个核心科学问题。
中国科学院宁波材料技术与工程研究所在二维自旋电子学领域取得系列重要进展(图)
二维自旋电子学 磁斯格明子
2020/10/29
中国科学院宁波材料技术与工程研究所量子功能材料团队博士生崔琪睿、梁敬华助理研究员、杨洪新研究员与法国Spintec/CNRS教授Mairbek Chshiev以及诺奖得主CNRS/Thales教授AlbertFert,合肥强磁场中心教授杜海峰等合作者针对上述问题,通过结合第一性原理计算,微磁模拟和紧束缚模型开展了一系列工作。首先,梁敬华助理研究员与杨洪新研究员等提出可以通过对二维室温铁磁材料MnS...
最近发现的拓扑相为自旋电子学和凝聚态物质提供了新的可能性:即使物质的绝缘状态在某些物理系统的边缘也表现出导电性。它们会产生异常的量子霍尔效应和其他相干自旋传输现象,其中散热最小化,因此可用于量子计算(量子霍尔效应)、存储芯片(SOT-MRAM)等新一代电子信息技术。其体态绝缘而表面导电的奇异性能主要来源于本征强自旋-轨道耦合。拓扑绝缘体中的低维导电态,即表面态狄拉克锥是受时间反演对称性保护而形成的...
《自然•通讯》刊登南京理工大学曾海波团队自旋电子学新发现(图)
南京理工大学 曾海波团队 自旋电子学 新发现
2018/7/10
2018年7月2日,国际顶级综合性期刊《自然•通讯》(《Nature Communications》)刊登了我校材料学院曾海波教授团队在面向下一代磁存储技术的二维自旋电子学材料的重要研究成果,论文题名为:Giant antidamping orbital torque originating from the orbital Rashba-Edelstein effect in fer...
中国科学技术大学在氧化物自旋电子学研究领域取得重大进展(图)
中国科学技术大学 氧化物 自旋电子学 人工反铁磁体
2017/7/28
最近,合肥微尺度物质科学国家实验室吴文彬课题组在氧化物自旋电子学研究领域取得突破。首次制备出基于全氧化物外延体系的人工反铁磁体——[La2/3Ca1/3MnO3/CaRu1/2Ti1/2O3]N,观察到随外加磁场清晰的具有层分辨的分步磁化翻转模式。成果以“All-oxide-based synthetic antiferromagnets exhibiting layer-resolved mag...
2017年氧化物界面自旋电子学前沿研讨会(英文)
2017年 氧化物界面自旋电子学 前沿研讨会
2017/1/13
Transition metal alloys and, more recently, heavy elemental (4d and 5d) metals have become the strategic elements of spintronic devices and applications. With the recent progress in fabrication and ch...
山西师范大学材料科学研究院研究领域:氧化物半导体自旋电子学材料(图)
材料科学研究院 研究领域 氧化物半导体 自旋电子学
2023/3/28
自旋电子学是近些年来在半导体电子学和磁学基础上发展起来的一门新兴交叉学科,是继微电子、光电子材料之后具有广阔应用前景的新型信息存储、处理和传输材料。氧化物自旋电子学材料由于其丰富的物理内涵和广阔的应用前景已成为当今凝聚态物理和材料科学领域最受关注的前沿领域之一。本课题组主要研究复杂氧化物和二元氧化物的界面效应、磁性和输运性质等,重点开展有关磁性机制、交换偏置、界面超导、自旋过滤效应以及晶格-自旋-...
英国利用超导自旋电子学研发超算
英国 超导自旋电子学 超算
2016/4/18
英国剑桥大学启动了一项旨在打造未来计算机技术新架构的科研项目。该项目计划以超导自旋电子学为基础,研发出为新一代超级计算机铺平道路的原型设备——这种超级计算机可以处理海量数据,同时其耗能远远低于目前的计算机设备。随着越来越多的人类社会活动转移到网络阵地,承载大量服务器的数据中心耗费着越来越多的能源。据估计,在欧洲数据中心消耗的能源占能源消耗总量的3%左右。
自旋电子学材料的理论设计取得新进展(图)
自旋电子学材料 理论设计
2014/7/31
近日,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室、化学与材料科学学院杨金龙教授研究组在电场调控半导体载流子自旋取向方面取得重要理论进展,使得制备电学可控的自旋电子学材料成为可能。此成果发表在美国化学会志上【J. Am. Chem. Soc. 2014. DOI:10.1021/ja505097m】。
中国科学技术大学自旋电子学材料的理论设计获进展(图)
中国科学技术大学 自旋电子学材料 理论设计
2014/7/31
近日,中国科学技术大学杨金龙教授研究组在电场调控半导体载流子自旋取向方面取得重要理论进展,使得制备电学可控的自旋电子学材料成为可能。该成果发表在《美国化学会志》上。