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熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法
复合缺陷 消除 熔体法碲 镉汞材料
2008/12/5
本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。 本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。
院仪器设备研制项目“碲镉汞材料高温富汞热处理系统”通过验收
2007/8/9
我所材料器件中心承担研制的中科院仪器设备研制项目―“碲镉汞材料高温富汞热处理系统”于2005年4月通过了由中科院综合计划局组织的验收。该系统在国内属于技术空白，国外也没有标准设备，而且需要同时具备真空设备加工能力和压力容器制造资质的厂家协助制造，预算少又是非标设备，所以国内几乎无厂家愿意接手。为此材器中心杨建荣等同志，通过自主设计并与加工企业密切合作，克服了重重困难，解决了腔体净化环境和耐高压、腔...