搜索结果: 1-6 共查到“计算机工程 6-T存储单元”相关记录6条 . 查询时间(0.135 秒)
本发明涉及一种基于阈值电压类型匹配的6?T存储单元抗总剂量加固方法，该方法包括晶体管总剂量辐照试验、建立晶体管辐射损伤与阈值电压类型映射关系、确定上拉PMOSFET阈值电压类型、确定下拉NMOSFET及传输NMOSFET阈值电压类型、电路仿真验证。该方法的理论基础是不同阈值电压类型晶体管的辐射损伤程度不同。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，实现6?T存储单元低成本、高性能的抗总剂量...
中国科学院微电子研究所专利：半导体存储单元、器件及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 半导体存储 器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：半导体存储单元、器件及其制备方法
中国科学院声学研究所专利：一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路
中国科学院声学研究所专利：内容可寻址存储器存储单元匹配线的检测电路和方法
中国科学院声学研究所专利：内容可寻址存储器存储单元匹配检测方法和电路
当今数据生产呈现爆炸式增长，传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。相变随机存取存储器（PCRAM）可以结合存储和计算功能，是突破冯·诺依曼计算构架瓶颈的理想路径选择。它具有非易失性、编程速度快和循环寿命长等优点。然而，PCRAM中相变材料与加热电极之间的接触面积较大，造成相变存储器操作功耗较高，如何进一步降低功耗成为相变存储器未来发展面临的最大挑战之一。缩小加热电极...